熟悉二極管的特性就知道，二極管***的一個特性就是單向導電性。當電流流過二極管處時，由于二極管的單向導電性，阻止了電流流過，此時的負載無法構成回路，對負載電路沒有任何影響。假如沒有這個防電源接反二極管，當電源接反時，此時負載電路構成回路，負載流過的電流與正常情況不一樣，從而導致負載電路燒毀。一般情況下，電路板輸入電源中都會加二極管來防止電源接反時，而燒毀電路板。防反二極管一般接在電源輸入端的正極上，當然也可接在負極上。 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD）。海南雙向觸發二極管特性

穩壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，制成的起穩壓作用的二極管。 此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數值，在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定，穩壓二極管是根據擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。穩壓二極管可以串聯起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯就可獲得更高的穩定電壓。陜西穩壓二極管伏安特性二極管整流電流是指二極管長期連續工作時，允許通過的比較大正向平均電流值。

    肖特基二極管又稱SBD,是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

橋式整流器是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣朔料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱。橋式整流器品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結構之分。比較大整流電流從，比較高反向峰值電壓從50V到1600V。全橋的正向電流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規格，耐壓值（比較高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規格。一般橋式整流器（整流橋）命名中有3個數字，***個數字**額定電流，A；后兩個數字**額定電壓(數字*100)，V。如：KBL407即4A，700V。KBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分別**電壓檔的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。 開關二極管分為普通、高速、超高速、低功耗、高反壓、硅電壓開關二極管等多種類型。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導率高為（cm·K），抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H－SiCSBD，擊穿電壓達550V。 SBD反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，比較高*約100V，以致于限制了其應用范圍。廣西二極管國產替代

開關二極管，是半導體二極管的一種，是為在電路上進行"開"、"關"而特殊設計制造的一類二極管。海南雙向觸發二極管特性

整流作用高壓二極管擊穿，會燒斷高壓保險絲。高壓二極管內部燒斷，會只有交流高壓，沒有直流高壓。在陽極與陰極之間加上—定的直流電壓，陰極發射的電子受陽極正電位影響而飛向陽極，另外再有磁鐵的作用,在空間上存在方向與電場垂直的磁場，因而電子在磁場力和電場力作用下作輪擺運動。因陽極諧振腔內存在高頻電場，因而就會形成繞陽極旋轉的“電子云”；當旋轉速度與高頻磁場同步時，電子將所有的能量交給高頻磁場，從而維持高頻振蕩。這種高頻能量經微波能量輸出器輸出，由波導管傳輸到微波爐腔里加熱食物。 海南雙向觸發二極管特性

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