變容二極管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用PN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容二極管的電容量一般較小，其比較大值為幾十pF到幾百pF，比較大電容與**小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。圖2變容二極管與反向偏壓變容二極管屬于反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的，如圖2所示。2、變容二極管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：(a)反向偏壓增加，造成電容減少；(b)反向偏壓減少，造成電容增加。電容誤差范圍是一個規定的變容二極管的電容量范圍。數據表將顯示**小值、標稱值及比較大值，這些經常繪在圖上。 二極管具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐。陜西小信號整流二極管絲印

—穩定電壓指穩壓管通過額定電流時兩端產生的穩定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別，同一型號穩壓管的穩壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩壓管的Vzmin為,Vzmax則為?！聪蚵╇婋娏髦阜€壓管產生穩定電壓時通過該管的電流值。低于此值時，穩壓管雖然也能穩壓，但穩壓效果會變差;高于此值時，只要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩壓性能會好一些，但要多消耗電能?！獎討B電阻指穩壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態電阻則愈小。例如，2CW7C穩壓管的工作電流為5mA時，Rz為18Ω;工作電流為10mA時，Rz為8Ω;工作電流為20mA時，Rz為2Ω;工作電流>20mA則基本維持此數值。—額定功耗由芯片允許溫升決定，其數值為穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mW。湖北小信號肖特基二極管絲印二極管工作的上限頻率。

普通的二極管由PN結組成。在P和N半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導體層，組成的這種P-I-N結構的二極管就是PIN二極管。正因為有本征(Intrinsic)層的存在，PIN二極管應用很***，從低頻到高頻的應用都有，主要用在RF領域，用作RF開關和RF保護電路，也有用作光電二極管(PhotoDiode)。PIN二極管包括PIN光電二極管和PIN開關二極管。微波開關利用PIN管在直流正-反偏壓下呈現近似導通或斷開的阻抗特性,實現了控制微波信號通道轉換作用.PIN二極管的直流伏安特性和PN結二極管是一樣的，但是在微波頻段卻有根本的差別。由于PIN二極I層的總電荷主要由偏置電流產生。而不是由微波電流瞬時值產生，所以其對微波信號只呈現一個線性電阻。此阻值由直流偏置決定，正偏時阻值小，接近于短路，反偏時阻值大，接近于開路。因此PIN二極對微波信號不產生非線性整流作用，這是和一般二極管的根本區別，所以它很適合于做微波控制器件。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。 開關二極管，是半導體二極管的一種，是為在電路上進行"開"、"關"而特殊設計制造的一類二極管。

高壓SBD圖2肖特基二極管長期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設計者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝，形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構，如圖2所示。采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N－區電阻率、外延層厚度和P+區的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為，而肖特基勢壘的結電壓*約，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。福建快恢復二極管電路圖

不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。陜西小信號整流二極管絲印

激光二極管包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優點，是市場應用的主流產品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優點，但其輸出功率小（一般小于2mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道，高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。陜西小信號整流二極管絲印

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