高壓二極管的工作原理是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓整流二極管電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩定性好的特點高壓二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。 開關二極管，是半導體二極管的一種，是為在電路上進行"開"、"關"而特殊設計制造的一類二極管。四川通用二極管型號

SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被***采用。除了普通PN結二極管的特性參數之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數等。 重慶開關二極管國產替代用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。

二極管額定正向平均電流（額定電流）IF：指在規定＋40℃的環境溫度和標準散熱條件下，元件結溫達額定且穩定時，容許長時間連續流過工頻正弦半波電流的平均值。將此電流整化到等于或小于規定的電流等級，則為該的額定電流。在選用大功率二極管時，應按元件允許通過的電流有效值來選取。對應額定電流if的有效值為1.57IF。大功率二極管的型號：普通型大功率二極管型號用ZP表示，其中Z**整流特性，P為普通型。普通型大功率二極管型號可表示如下,ZP[電流等級]—[電壓等級/100][通態平均電壓組別],如型號為ZP50—16的大功率二極管表示：普通型大功率二極管，額定電流為50A，額定電壓為1600V。

高壓二極管是指設計用于在極高電壓下工作或暴露在高電壓下具有特定特性的任何二極管。幾乎任何二極管都可以在任何電壓下工作，如果這正是它所要做的。通過加固二極管的部分并在其構造過程中使用特定材料，二極管可以承受極高的功率。因此，在處理高壓或電壓尖峰時，通常使用幾種二極管。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩定性好的特點高壓二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。 超快恢復二極管是用電設備高頻化（20khz以上）和高頻設備固態化發展不可或缺的重要器件。

    肖特基二極管又稱SBD,是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。 二極管整流電流是指二極管長期連續工作時，允許通過的比較大正向平均電流值。北京硅二極管特性

肖特基（Schottky）二極管的比較大特點是正向壓降 VF 比較小。四川通用二極管型號

由于多種原因，當前***使用的是可視激光二極管(英文簡稱"VLD""Visible Laser Diode")。激光二極管的可靠性非常好，壽命要比氦氖激光長幾倍，而且工作電壓很低（通常只有2伏），沒有特殊供電要求。它們的封裝非常小而輕，并且密封堅固。由于耗能非常小，它們可用在直接從計算機甚至電池取電的條形碼讀碼器中。之所以選用可視激光而不是紅外激光，是因為IR類型的掃描儀不能識讀打印在某些特殊材質上的條形碼。盡管條碼本身在人眼看來是暗條打印在淺色背景上，紅外激光與可見光的被吸收程度是不同的。四川通用二極管型號

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