現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。上海高浪涌ESD保護(hù)元件測試

高頻接口ESD防護(hù)電路的綜合設(shè)計(jì)法根據(jù)高頻電路的信號特征和ESD防護(hù)要求靈活選用各種防護(hù)器件、以及各種防護(hù)電路的組合形成防護(hù)效果好且高頻性能好的ESD防護(hù)電路。如TVS、開關(guān)二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯(lián)、匹配設(shè)計(jì)、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護(hù)電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設(shè)計(jì)***的防護(hù)電路。如圖4，電感!和TVS并聯(lián)在輸入端具有較好的ESD防護(hù)效果，其并聯(lián)諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護(hù)和改善駐波的作用。上海高浪涌ESD保護(hù)元件測試ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小。

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險(xiǎn)主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險(xiǎn)能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險(xiǎn)不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。

靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。注意事項(xiàng)編輯 播報(bào)1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設(shè)計(jì)時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求。

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項(xiàng)：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計(jì)時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。山東低壓ESD保護(hù)元件參數(shù)

IEC61000-4-2是系統(tǒng)級靜電測試常用的測試標(biāo)準(zhǔn)。上海高浪涌ESD保護(hù)元件測試

在高頻接口還可以采用電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和LC濾波電路形成ESD保護(hù)。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)在很寬的頻帶范圍都有較好的適應(yīng)性，但是它在衰減ESD脈沖的同時，對高頻信號進(jìn)行同比例衰減，改變了電路系統(tǒng)的增益分配，而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見，數(shù)百M(fèi)Hz以下的高頻接口很難使用濾波方法實(shí)現(xiàn)ESD防護(hù)，只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實(shí)現(xiàn)性。適用于高頻信號接口的ESD防護(hù)電路必須有很小的并聯(lián)結(jié)電容、較小的串聯(lián)電感和很快的響應(yīng)速度，這對防護(hù)器件參數(shù)的選取、PCB布局的寄生參數(shù)控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求，實(shí)際實(shí)現(xiàn)起來并不簡單。上海高浪涌ESD保護(hù)元件測試

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