SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強(qiáng)，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護(hù)元件，并提供選型替代，國產(chǎn)化替代，具有較高的性價比。青海低電容ESD保護(hù)元件電壓

ESD靜電的來源,在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機(jī)會將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件電容ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。

人體放電模型（HBM）法規(guī)：十九世紀(jì)時，人們曾用這種模型來調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中，另一個類似的法規(guī)IEC61000-4-2，是系統(tǒng)級的靜電測試法規(guī)，則是在在系統(tǒng)層級的測試。我國靜電放電對應(yīng)的國標(biāo)相對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.2。

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input***級保護(hù)和第二級保護(hù)之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時，第二級ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來評價電子設(shè)備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才***提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關(guān)于ESD輻射場的明確規(guī)定，對ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測試時發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測試結(jié)果并不相同。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力。青海低電容ESD保護(hù)元件電壓

ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護(hù)器件的響應(yīng)速度要求較高。青海低電容ESD保護(hù)元件電壓

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護(hù)器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設(shè)計方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌贰Ｇ嗪５碗娙軪SD保護(hù)元件電壓

上海來明電子有限公司是以TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的一般項目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營)。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外。憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動) 許可項目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))企業(yè)，公司成立于2010-08-11，地址在靈山路1000弄2號808。至創(chuàng)始至今，公司已經(jīng)頗有規(guī)模。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領(lǐng)域內(nèi)的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場及消費(fèi)者的高度認(rèn)可。上海來明電子有限公司通過多年的深耕細(xì)作，企業(yè)已通過電子元器件質(zhì)量體系認(rèn)證，確保公司各類產(chǎn)品以高技術(shù)、高性能、高精密度服務(wù)于廣大客戶。歡迎各界朋友蒞臨參觀、 指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。