高壓二極管是指設(shè)計用于在極高電壓下工作或暴露在高電壓下具有特定特性的任何二極管。幾乎任何二極管都可以在任何電壓下工作，如果這正是它所要做的。通過加固二極管的部分并在其構(gòu)造過程中使用特定材料，二極管可以承受極高的功率。因此，在處理高壓或電壓尖峰時，通常使用幾種二極管。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩(wěn)定性好的特點(diǎn)高壓二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。湖北貼片二極管特性

    變?nèi)荻O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用PN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其比較大值為幾十pF到幾百pF，比較大電容與**小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。圖2變?nèi)荻O管與反向偏壓變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的，如圖2所示。2、變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解：(a)反向偏壓增加，造成電容減少；(b)反向偏壓減少，造成電容增加。電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示**小值、標(biāo)稱值及比較大值，這些經(jīng)常繪在圖上。 小信號肖特基二極管作用插件二極管的封裝類型有DO-201,DO-27,DO-41等。

瞬態(tài)電壓抑制二極管（TransientVoltageSuppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負(fù)12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。TVS二極管過電壓反應(yīng)的速度會比其他的過電壓保護(hù)元件（例如壓敏電阻或是氣體放電管）要快。實(shí)際的箝位大約只有一皮秒，但因?yàn)閷?shí)際電路中導(dǎo)線存在電感，因此保護(hù)元件需容許較長時間的大電壓。因此TVS二極管會比其他元件適合保護(hù)電路不受很快，而且有破壞性的電壓突波。像許多分散式的電路都有這種快速的過電壓突波，可能因?yàn)閮?nèi)部因素或是外部因素造成，例如閃電或是馬達(dá)短路。

新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。大家知道，金屬導(dǎo)體內(nèi)部有大量的導(dǎo)電電子。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸（二者距離只有原子大小的數(shù)量級）時，金屬的費(fèi)米能級低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級。在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散運(yùn)動的結(jié)果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊（勢壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè)）。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴(kuò)散電流方向相反的漂移電流增大，**終達(dá)到動態(tài)平衡，在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的。

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件，它具有單向?qū)щ娦阅埽诟鞣N電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成不同功能的電路，可以實(shí)現(xiàn)對交流電整流、對調(diào)制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。我們可提供的二極管類型有：普通整流二極管，快恢復(fù)二極管，高效整流二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)抑制二極管、穩(wěn)壓二極管，開關(guān)二極管、觸發(fā)二極管等。肖特基二極管SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流。福建齊納二極管封裝

光電二極管又稱光敏二極管。湖北貼片二極管特性

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導(dǎo)率高為（cm·K），抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H－SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。 湖北貼片二極管特性

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