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遼寧貼片二極管伏安特性

來源: 發(fā)布時間:2023-03-01

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導體為基片,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù),N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖1所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。 SBD適用于在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻。遼寧貼片二極管伏安特性

SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計算機中被***采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。 北京玻璃二極管國產(chǎn)替代傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構(gòu)成。

整流橋(橋堆)整流橋(橋堆)內(nèi)部由多個二極管組成,外用絕緣塑料封裝而成,主要作用是整流,調(diào)整電流方向。不同的應用場合選擇不同的橋堆,我司可提供普通整流橋、快恢復整流橋、高效恢復整流橋、超快恢復整流橋、肖特基橋等。產(chǎn)品封裝形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M,GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等,電流高達50A,電壓達從幾百伏至幾千伏,電流可達幾十安培。

高壓二極管的工作原理是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?,把交流電變成脈動直流電。高壓整流二極管電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外,還有比較大整流電流,是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項用整流二極管的主要依據(jù)。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩(wěn)定性好的特點高壓二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?,把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。 肖特基二極管常見的型號: MBR300100CT。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低,用其制作的SBD擊穿電壓較低,反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(~),臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm),飽合速度快(2×107cm/s。熱導率高為(cm·K),抗化學腐蝕性強,硬度大,材料制備和制作工藝也比較成熟,是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗,關系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度,而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度,這是相矛盾的。因此,對勢壘金屬必須折衷考慮,故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說,Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏電流,而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD,采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD,反向特性與Ni肖特基整流器相當,在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環(huán)的6H-SiCSBD,擊穿電壓達550V。 由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復問題。北京玻璃二極管國產(chǎn)替代

常用的低功耗開關二極管有RLS系列(表面封裝)和1SS系列(有引線塑封)。遼寧貼片二極管伏安特性

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