根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管,利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管;利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器;利用光生伏***應可制成太陽電池。此外,利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大,振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**,是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝,分別**400W、600W、1.5kW和3kW。甘肅15000W瞬態抑制二極管封裝
實際產品中,**常用的浪涌測試波形為1.2/50us和10/700us,如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下換算到其他波形呢,這就需要看Spec中的另一個曲線圖:通過上圖可以查出,1.2/50us波形所對應脈沖寬度50us,對應峰值功率為2200W左右。那么這種情況下,反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口,在共模時,浪涌發生器內阻為12歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口,在差模時,浪涌發生器內阻為2歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對稱信號端口,無論差模共模,浪涌發生器內阻為42歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出,一個TVS所能承受的比較大浪涌電壓,不僅與自身的參數相關(比較大承受功率、鉗位電壓等),也和其在電路的位置息息相關(浪涌發生器的內阻值非常重要)。甘肅15000W瞬態抑制二極管封裝當瞬態脈沖能量超過 TVS 所能承受能量時會引起 TVS 器件過電應力損傷。
齊納擊穿:齊納擊穿通常發生在摻雜濃度很高的PN結內。由于摻雜濃度很高,PN結很窄,這樣即使施加較小的反向電壓(5V以下),結層中的電場卻很強(可達2.5×105V/m左右)。在強電場作用下,會強行促使PN結內原子的價電子從共價鍵中拉出來,形成"電子一空穴對",從而產生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下,形成很大的反向電流,出現了擊穿。顯然,齊納擊穿的物理本質是場致電離。采取適當的摻雜工藝,將硅PN結的雪崩擊穿電壓可控制在8~1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5~8V之間兩種擊穿可能同時發生。
5、對于數據接口電路的保護,還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據用途選用TVS的極性及封裝結構。交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保護選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態電壓抑制器可以在-55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增大;功耗隨TVS結溫增加而下降,從+25℃到+175℃,大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數增加。因此,必須查閱有關產品資料,考慮溫度變化對其特性的影響。SMA/DO-214AC封裝的TVS一般有MAJ,P4SMA,TPSMAJ,SMA6J等系列。
TVS管在穩壓管工藝基礎上發展起來的新產品,是一種新型的高效電路保護器件之一,具有P秒級的響應時間和高浪涌吸收能力;而穩壓二極管,利用pn結反向擊穿狀態,在電流變化范圍內,保持電壓穩定所研發出來穩壓作用的二極管。共同點:在一定范圍內,能限制兩端的電壓;長時間運作耐流值幾乎一樣,均跟體積功耗相關聯。工作原理不同:tvs管:雪崩效應,在高能量的瞬時過壓脈沖時,阻抗能立馬降低到很低的導通值,允許較大電流通過,并將電壓箝制到預定水平,避免電路中的精密元器件免受損壞。穩壓管:齊納隧道效應,當反向電壓達到并超過穩定電壓時,反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定。當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷。四川插件瞬態抑制二極管
瞬態電壓抑制二極管簡稱TVS,是一種二極管形式的高效能保護器件。甘肅15000W瞬態抑制二極管封裝
TVS主要用于對電路元件進行快速過電壓保護。它能"吸收"功率高達數千瓦的浪涌信號。TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點,它的應用十分較多,如:家用電器;電子儀器;儀表;精密設備;計算機系統;通訊設備;RS232、485及CAN等通訊端口;ISDN的保護;I/O端口;IC電路保護;音、視頻輸入;交、直流電源;電機、繼電器噪聲的抑制等各個領域。它可以有效地對雷電、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓沖擊起保護作用,下面是幾個TVS在電路應用中的典型例子。甘肅15000W瞬態抑制二極管封裝
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