MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD靜電保護元件具有單向和雙向之分。山東低壓電源線ESD保護元件廠家

降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。山東低壓電源線ESD保護元件廠家靜電保護元件可提供多種封裝形式。

靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術經理，說過一句很經典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。靜電源包裝，出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。

TVS/ESD靜電保護元件陣列，ESD靜電保護元器件RLESD保護器件可避免電子設備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容，與其他同類元件相比具有更優異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數（高達1000）之后。該器件可比傳統的聚合物SEO器件提供更低的觸發電壓和更低的箝拉電壓，進而改善對敏感電子元件的保護。靜電保護元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD，是一種過壓保護元件，是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。RLESD保護器件是用來避免電子設備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響。可提供非常低的電容，具有優異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數高達1000之后，進而改善對敏感電子元件的保護。 在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。湖北RS485接口ESD保護元件選型

防靜電的四項基本原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導體實現等電位連接，避免因導全帶靜電發生放電。山東低壓電源線ESD保護元件廠家

ESD策略，ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設計ESD防護電路的基本指導思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態電壓抑制二極管TVS半導體閘流管瞬態抑制器件TSS、快速開關二極管等。山東低壓電源線ESD保護元件廠家

上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，同時啟動了以晶導微電子,意昇,美碩,成鎬為主的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產業布局。業務涵蓋了TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等諸多領域，尤其TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容中具有強勁優勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設計原創、科技創新、標準規范等方面推動行業發展。我們強化內部資源整合與業務協同，致力于TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等實現一體化，建立了成熟的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容運營及風險管理體系，累積了豐富的電子元器件行業管理經驗，擁有一大批專業人才。上海來明電子有限公司業務范圍涉及一般項目: 電子產品、電子元器件、電動工具、機電設備、儀器儀表、通訊器材(除衛星電視廣播地面接收設施)、音響設備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機構經營)。(除依法須經批準的項目外。憑營業執照依法自主開展經營活動) 許可項目: 貨物進出口;技術進出口:進出口代理。(依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動，具體經營項目以相關部門批準文件或許可證件為準)等多個環節，在國內電子元器件行業擁有綜合優勢。在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等領域完成了眾多可靠項目。