現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測(cè)試方法和實(shí)驗(yàn)平 臺(tái)仍存在一定局限性，需進(jìn)一步研究 和改進(jìn) 。ESD協(xié) 會(huì) WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國(guó)際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測(cè)試 的一致性，對(duì)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開***的討論和完善 。但是我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域 的工作開展不多。現(xiàn)行的 ESD抗擾度實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒有與國(guó)際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測(cè)試方面仍然落后于西方發(fā)達(dá)國(guó)家。我過(guò)也在積極的開展研究靜電放電測(cè)試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。SIM卡ESD保護(hù)元件測(cè)試

在高頻接口還可以采用電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和LC濾波電路形成ESD保護(hù)。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)在很寬的頻帶范圍都有較好的適應(yīng)性，但是它在衰減ESD脈沖的同時(shí)，對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行同比例衰減，改變了電路系統(tǒng)的增益分配，而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見，數(shù)百M(fèi)Hz以下的高頻接口很難使用濾波方法實(shí)現(xiàn)ESD防護(hù)，只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實(shí)現(xiàn)性。適用于高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路必須有很小的并聯(lián)結(jié)電容、較小的串聯(lián)電感和很快的響應(yīng)速度，這對(duì)防護(hù)器件參數(shù)的選取、PCB布局的寄生參數(shù)控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求，實(shí)際實(shí)現(xiàn)起來(lái)并不簡(jiǎn)單。江蘇低壓ESD保護(hù)元件電容ESD靜電放電機(jī)器模型MM的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來(lái)越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來(lái)越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來(lái)越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來(lái)越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。

根據(jù)高頻電路信號(hào)特性和ESD防護(hù)能力的要求來(lái)選用不同的防護(hù)器件和不同的防護(hù)中路結(jié)構(gòu)，防護(hù)器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護(hù)電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號(hào)可能的比較大峰值電壓，同時(shí)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于被保護(hù)器件的ESD或值電樂，ESD防護(hù)電路的響應(yīng)時(shí)間要小于被保護(hù)器件的響應(yīng)時(shí)間。高頻信號(hào)頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進(jìn)行ESD防護(hù)，如果信號(hào)功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷?，也可以直接選用低容值的快速開關(guān)二極管兩個(gè)反向并聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)，如果信號(hào)峰值電平高于二極管的正向?qū)妷?，?yīng)采用兩個(gè)快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)。ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號(hào)可能的**人峰值電壓時(shí)，防護(hù)器件將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對(duì)防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號(hào)峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過(guò)低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號(hào)通過(guò)二極管對(duì)電容充電，電容充電后對(duì)二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌?。靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。青海SD卡ESD保護(hù)元件封裝

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過(guò)外殼流向大地，另一條通過(guò)內(nèi)部PCB流向大地。SIM卡ESD保護(hù)元件測(cè)試

靜電可以引起電氣絕緣和電子元器件擊穿是否正確？這一表述是合理的，工作電壓可以做到幾萬(wàn)元伏的，假如在電子元器件上邊一瞬間的話，便會(huì)擊穿里邊的一些電子器件。火花放電會(huì)造成**的，損害醫(yī)生和病人；在煤礦業(yè)，則會(huì)造成煤層氣，會(huì)造成職工傷亡，煤礦損毀。總而言之，靜電傷害起因于用電力工程和靜電火苗，靜電傷害中**明顯的是靜電充放電造成易燃物的著火和。靜電的危害：身體長(zhǎng)期性在靜電輻射源下，會(huì)讓人煩躁不安、頭疼、胸悶氣短、呼吸不暢、干咳。在家庭生活之中，靜電不但化纖衣服有，腳底的毛毯、日常的塑膠用品、漆料家具直到各種各樣家用電器均很有可能發(fā)生靜電狀況。SIM卡ESD保護(hù)元件測(cè)試

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