由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。青海耳機接口ESD保護元件電容

MOV具有ns級的快速響應，但是結電容一般在數十pF以上;GDT具有pF級以下的結電容，但是響應時間在數百ns以上;TSS的響應速度很快，可達ps級，其結電容一般也在數十pF以上;TVS的響應速度很快，可達ps級，其結電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關二極管的響應速度與TVS相同，其結電容可達到1pF以下。可見，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護;TVS可以直接使用在數百MHz的信號接口進行ESD防護，當用于GHz以上的信號接口必須采用降低結電容的措施:低容值的快速開關二極管可以直接或采用降低結電容的優化措施后用于數GHz的信號接口。上海RS485接口ESD保護元件參數ESD靜電保護元件的浪涌防護等級可用IPP這個參數來表示。

常見的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機器放電模型、帶電器件模型、感應放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對器件放電，導致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機器模型，即帶電設備對器件放電，導致器件損壞。放電途徑為：機器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應放電模型，即器件感應帶電后放電。途經：電場——器件帶電——地。

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增大。尤其當這些器件應用于信號接口時，產品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產品接口器件在生產中和市場上的ESD損壞事故頻頻發生，因此在設計和制造通信產品時除了加強產品制造過程的ESD控制外，還要加強產品的ESD防護設計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設計已成為提高通信產品可靠性的一個重要環節。ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。

MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。靜電放電可達到高達幾十千伏的放電電壓。低電容ESD保護元件選型

單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。青海耳機接口ESD保護元件電容

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產生的靜電電位有所不同。在干燥的季節，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產生的附著于人體上的靜電。靜電的產生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。青海耳機接口ESD保護元件電容

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