金屬熱敏電阻材料此類材料作為熱電阻測溫、限流器以及自動恒溫加熱元件均有較為***的應用。如鉑電阻溫度計、鎳電阻溫度計、銅電阻溫度計等。其中鉑測溫傳感器在各種介質中(包括腐蝕性介質)，表現出明顯的高精度和高穩定的特征。但是，由于鉑的稀缺和價格昂貴而使它們的廣泛應用受到一定的限制。銅測溫傳感器較便宜，但在腐蝕性介質中長期使用，可導致靜態特性與阻值發生明顯變化。**近有資料報導，銅測溫傳感器可在空氣介質中-60~180℃溫度范圍使用。但是，國外為了在-60~180℃長期地測量溫度和在250℃短期測量溫度，普遍大量使用著鎳測溫傳感器，并認為鎳是一種較理想的材料，因為它們具有高的靈敏度、滿意的重現性和穩定性。NTC是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧化物為主要材料， 采用陶瓷工藝制造而成的。新疆功率型熱敏電阻參數

熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時的電阻值、Ro：溫度T0、（K）時的電阻值、B:B值、*T(K)=t(oC)+273.15。實際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的，其變化大小因材料構成而異，比較大甚至可達5K/°C。因此在較大的溫度范圍內應用式1時，將與實測值之間存在一定誤差。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數計算時，則可降低與實測值之間的誤差，可認為近似相等。PTC熱敏電阻于1950年出現，隨后1954年出現了以鈦酸鋇為主要材料的PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻在工業上可用作溫度的測量與控制，也用于汽車某部位的溫度檢測與調節，還大量用于民用設備，如控制瞬間開水器的水溫、空調器與冷庫的溫度，利用本身加熱作氣體分析和風速機等方面。下面簡介一例對加熱器、馬達、變壓器、大功率晶體管等電器的加熱和過熱保護方面的應用。海南測溫熱敏電阻失效功率NTC熱敏電阻器，是一種大功率的圓片式熱敏電阻器，常用于有電容器、加熱器和馬達啟動的電子電路中。

功率型NTC熱敏電阻比較大允許電容（焦耳能量）的選擇。對于某個型號的功率型NTC熱敏電阻來說，允許接入的濾波電容的大小是有嚴格要求的，這個值也與比較大額定電壓有關。開機浪涌是因為電容充電產生的，因此通常用給定電壓值下的允許接入的電容量，來評估功率型NTC熱敏電阻承受浪涌電流的能力。對于某一個具體的功率型NTC熱敏電阻來說，所能承受的比較大焦耳能量已經確定了。功率型NTC熱敏電阻的焦耳能量計算公式：E=1/2CV2。從上面的公式可以看出，其允許的接入的電容值與額定電壓的平方成反比。簡單來說，就是輸入電壓越大，允許接入的比較大電容值就越小，反之亦然。

NTC負溫度系數熱敏電阻構成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指隨溫度上升電阻呈指數關系減小、具有負溫度系數的熱敏電阻現象和材料．該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可制成具有負溫度系數（NTC）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化．現在還出現了以碳化硅、硒化錫、氮化鉭等為**的非氧化物系NTC熱敏電阻材料。NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數，電阻值可近似表示為：式中RT、RT0分別為溫度T、T0時的電阻值，Bn為材料常數．陶瓷晶粒本身由于溫度變化而使電阻率發生變化，這是由半導體特性決定的。熱敏電阻使用方便，電阻值可在0.1～100kΩ間任意選擇。

功率型NTC熱敏電阻多用于電源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC熱敏電阻器，是一種大功率的圓片式熱敏電阻器，常用于有電容器、加熱器和馬達啟動的電子電路中。在電路電源接通瞬間，電路中會產生比正常工作時高出許多倍的浪涌電流，而NTC熱敏電阻器的初始阻值較大，可以抑制電路中過大的電流，從而保護其電源電路及負載。當電路進入正常工作狀態時，熱敏電阻器由于通過電流而引起阻體溫度上升，NTC電阻值下降至很小，不會影響電路的正常工作。零功率電阻指在規定溫度采用引起電阻值變化相對于總的測量誤差來說可以忽略不計的測量功率測得的電阻值。廣西陶瓷熱敏電阻原理

PTC熱敏電阻在工業上可用作溫度的測量與控制，也用于汽車某部位的溫度檢測與調節。新疆功率型熱敏電阻參數

鈦酸鋇晶體屬于鈣鈦礦型結構，是一種鐵電材料，純鈦酸鋇是一種絕緣材料．在鈦酸鋇材料中加入微量稀土元素，進行適當熱處理后，在居里溫度附近，電阻率陡增幾個數量級，產生PTC效應，此效應與BaTiO3晶體的鐵電性及其在居里溫度附近材料的相變有關。鈦酸鋇半導瓷是一種多晶材料，晶粒之間存在著晶粒間界面。該半導瓷當達到某一特定溫度或電壓，晶體粒界就發生變化，從而電阻急劇變化。鈦酸鋇半導瓷的PTC效應起因于粒界（晶粒間界）。對于導電電子來說，晶粒間界面相當于一個勢壘。當溫度低時，由于鈦酸鋇內電場的作用，導致電子極容易越過勢壘，則電阻值較小。當溫度升高到居里溫度（即臨界溫度）附近時，內電場受到破壞，它不能幫助導電電子越過勢壘。這相當于勢壘升高，電阻值突然增大，產生PTC效應。鈦酸鋇半導瓷的PTC效應的物理模型有海望表面勢壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢壘模型，它們分別從不同方面對PTC效應作出了合理解釋。新疆功率型熱敏電阻參數

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