ESD靜電的來源,在電子制造業中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關的儀器設備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當于良導體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。北京以太網接口ESD保護元件廠家

根據高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結構，防護器件的結電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發電壓)和箱位電壓(或二極管導通電壓)應大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應時間要小于被保護器件的響應時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向導通電壓，也可以直接選用低容值的快速開關二極管兩個反向并聯后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向導通電壓，應采用兩個快速開關二極管反向串聯后進行雙向ESD防護。河南低壓ESD保護元件選型ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小。

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。ESD靜電保護元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結電容可以做到0.1pF以內。

MOV具有ns級的快速響應，但是結電容一般在數十pF以上;GDT具有pF級以下的結電容，但是響應時間在數百ns以上;TSS的響應速度很快，可達ps級，其結電容一般也在數十pF以上;TVS的響應速度很快，可達ps級，其結電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關二極管的響應速度與TVS相同，其結電容可達到1pF以下。可見，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護;TVS可以直接使用在數百MHz的信號接口進行ESD防護，當用于GHz以上的信號接口必須采用降低結電容的措施:低容值的快速開關二極管可以直接或采用降低結電容的優化措施后用于數GHz的信號接口。ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。河南低壓ESD保護元件選型

ESD靜電保護元器件是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。北京以太網接口ESD保護元件廠家

ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增火。ESD脈沖具有持續時間短(ns~數百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數百KHz到數GHz的范圍，其能量主要集中在數MHz到數百MHz的范圍內，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應速度和良好的高頻性能。北京以太網接口ESD保護元件廠家

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