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廣東貼片瞬態(tài)抑制二極管電壓

來源: 發(fā)布時間:2023-03-31

要減少TVS短路失效,首先應(yīng)加強TVS制造工藝過程的控制,尤其是對燒焊、臺面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制,以減少或消除TVS的固有缺陷。例如:國際上采用先進的燒焊工藝已能將空洞面積控制在10%以下,采用離子注入摻雜能對摻雜過程進行更好的控制,這些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正確選型與安裝,比較好對TVS進行降額使用,這樣可使TVS承受的功率較小,使用可靠性**增加。此外,為使TVS發(fā)生短路失效時對被保護電子設(shè)備的影響降到比較低,通常可在TVS前串接一條與之匹配的保險絲。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率,并把電壓箝制到預(yù)定水平。廣東貼片瞬態(tài)抑制二極管電壓

根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管,利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管;利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與PN結(jié)相結(jié)合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入與復(fù)合可以制造半導(dǎo)體激光二極管與半導(dǎo)體發(fā)光二極管;利用光輻射對PN結(jié)反向電流的調(diào)制作用可以制成光電探測器;利用光生伏***應(yīng)可制成太陽電池。此外,利用兩個PN結(jié)之間的相互作用可以產(chǎn)生放大,振蕩等多種電子功能。PN結(jié)是構(gòu)成雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的**,是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)。在二級管中廣泛應(yīng)用。上海400W瞬態(tài)抑制二極管應(yīng)用利用TVS 二極管,可有效吸收會造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開關(guān)所引起的干擾。

選用技巧編輯播報1、確定被保護電路的比較大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標準電壓和“**”容限。2、TVS額定反向關(guān)斷VWM應(yīng)大于或等于被保護電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低,器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓,并行連接分電流。3、TVS的比較大箝位電壓VC應(yīng)小于被保護電路的損壞電壓。4、在規(guī)定的脈沖持續(xù)時間內(nèi),TVS的比較大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定比較大箝位電壓后,其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。

TVS瞬態(tài)抑制二極管失效模式:1:當瞬態(tài)脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應(yīng)力損傷,特別是當瞬態(tài)能量遠遠超出TVS所能承受的數(shù)倍時會直接導(dǎo)致TVS過電應(yīng)力燒毀。失效模式為短路。2:當電路中通過的電流太大,可能會造成TVS炸裂,失效模式為開路。這種情況通常為設(shè)計時考慮不周全,TVS通流量過小造成的。3:電性能退化當TVS經(jīng)過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效,失效模式為短路。這種模式因長時間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致(器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化、散熱能力下降)過熱燒毀。特別是當瞬態(tài)能量遠遠超出TVS所能承受的數(shù)倍時會直接導(dǎo)致TVS過電應(yīng)力燒毀。

在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下,當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時,其工作阻抗能立即降至很低的導(dǎo)通值,允許大電流通過,并將電壓箝制到預(yù)定水平,從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位響應(yīng)時間*為1ps(10^-12S)。TVS允許的正向浪涌電流在T=25℃,T=10ms條件下,可達50~200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率,并把電壓箝制到預(yù)定水平,雙向TVS適用于交流電路,單向TVS一般用于直流電路。DO-15封裝的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。上海400W瞬態(tài)抑制二極管應(yīng)用

TVS 的電路符號與普通穩(wěn)壓二極管相同。廣東貼片瞬態(tài)抑制二極管電壓

當PN結(jié)的反向偏壓較高時,會發(fā)生由于碰撞電離引發(fā)的電擊穿,即雪崩擊穿。存在于半導(dǎo)體晶體中的自由載流子在耗盡區(qū)內(nèi)建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導(dǎo)體晶格發(fā)生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產(chǎn)生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發(fā)生碰撞,如果平均每個電子(或空穴)在經(jīng)過耗盡區(qū)的過程中可以產(chǎn)生大于1對的電子空穴對,那么該過程可以不斷被加強,**終達到耗盡區(qū)載流子數(shù)目激增,PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿。廣東貼片瞬態(tài)抑制二極管電壓

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