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北京電解電容封裝

來源: 發(fā)布時間:2023-04-05

獨石電容器(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成。是一種小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器。高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積極小,容量誤差較大。一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量。金屬化聚丙烯電容器一般在低頻電路內(nèi),通常不能在高于3~4MHz的頻率上運用。當(dāng)電容器的保險熔斷時,應(yīng)向調(diào)度匯報,待取得同意后再拉開電容器的斷路器。北京電解電容封裝

當(dāng)電容器的保險熔斷時,應(yīng)向調(diào)度匯報,待取得同意后再拉開電容器的斷路器。切斷電源對其進行放電,先進行外部檢查,如套管的外部有無閃絡(luò)痕跡,外殼是否變形,漏油及接地裝置有無短路現(xiàn)象等,并搖測極間及極對地的絕緣電阻值,檢查電容器組接線是否完整、牢固,是否有缺相現(xiàn)象,如未發(fā)現(xiàn)故障現(xiàn)象,可換好保險后投入。如送電后保險仍熔斷,則應(yīng)退出故障電容器,而恢復(fù)對其余部分送電。如果在保險熔斷的同時,斷路器也跳閘,此時不可強送。須待上述檢查完畢換好保險后再投入。北京電解電容封裝退耦電容,在多級放大器的直流電壓供給電路退耦電容消除每級放大器之間的有害低頻交連。

鋁電解電容器用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成,薄的氧化膜作介質(zhì)的電容器。因為氧化膜有單向?qū)щ娦再|(zhì),所以電解電容器具有極性。其特點如下:1.容量大,能耐受大的脈動電流。2.容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在25kHz以上頻率。3.低頻旁路、信號耦合、電源濾波。鉭電解電容器用燒結(jié)的鉭塊作正極,電解質(zhì)使用固體二氧化錳。溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長,容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到比較大的電容電壓乘積。其對脈動電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態(tài)。常應(yīng)用于超小型高可靠機件中。

型號命名國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成(不適用于壓敏、可變、真空電容器),依次分別**名稱、材料、分類和序號。***部分:名稱,用字母表示,電容器用C。第二部分:材料,用字母表示。注:A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介。第三部分:分類,一般用數(shù)字表示,個別用字母表示。注:T-電鐵、W-微調(diào)、J-金屬化、X-小型、S-獨石、D-低壓、M-密封。選型要點額定電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓,這兩個參數(shù)是很重要,是選用電容**基本的內(nèi)容。

Y電容的電容量必須受到限制,從而達到控制在額定頻率及額定電壓作用***過它的漏電流的大小和對系統(tǒng)EMC性能影響的目的。GJB151規(guī)定Y電容的容量應(yīng)不大于0.1uF。Y電容除符合相應(yīng)的電網(wǎng)電壓耐壓外,還要求這種電容器在電氣和機械性能方面有足夠的安全余量,避免在極端惡劣環(huán)境條件下出現(xiàn)擊穿短路現(xiàn)象,Y電容的耐壓性能對保護人身安全具有重要意義。特別指出:作為安全電容的Y電容,要求必須取得安全檢測機構(gòu)的認證。Y電容外觀多為橙色或藍色,一般都標(biāo)有安全認證標(biāo)志(如UL、CSA等標(biāo)識)和耐壓AC250V或AC275V字樣。然而,其真正的直流耐壓高達5000V以上。必須強調(diào),Y電容不得隨意使用標(biāo)稱耐壓AC250V或者DC400V之類的普通電容來代用。在實際中,隨著溫度的升高,電容的耐壓值將會變低。湖南紙介CZ電容失效

用在高頻消振電路中的電容稱為高頻消振電容。北京電解電容封裝

電容器的作用一耦合:用在耦合電路中的電容稱為耦合電容,在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路,起隔直流通交流作用。濾波:用在濾波電路中的電容器稱為濾波電容,在電源濾波和各種濾波器電路中使用這種電容電路,濾波電容將一定頻段內(nèi)的信號從總信號中去除。退耦:用在退耦電路中的電容器稱為退耦電容,在多級放大器的直流電壓供給電路中使用這種電容電路,,,退耦電容消除每級放大器之間的有害低頻交連。北京電解電容封裝

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