要減少TVS短路失效,首先應加強TVS制造工藝過程的控制,尤其是對燒焊、臺面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制,以減少或消除TVS的固有缺陷。例如:國際上采用先進的燒焊工藝已能將空洞面積控制在10%以下,采用離子注入摻雜能對摻雜過程進行更好的控制,這些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正確選型與安裝,比較好對TVS進行降額使用,這樣可使TVS承受的功率較小,使用可靠性**增加。此外,為使TVS發生短路失效時對被保護電子設備的影響降到比較低,通常可在TVS前串接一條與之匹配的保險絲。TVS的瞬態功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。河南插件瞬態抑制二極管應用
過電應力當瞬態脈沖能量超過TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷,特別是當瞬態脈沖能量達到TVS所能承受能量的數倍時會直接導致TVS器件過電應力燒毀,失效模式表現為短路。過電應力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察??砂l現pn結表面邊緣的熔融區域或體內硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗表明,發生在結表面邊緣過電應力短路失效通常是由持續時間極短(ns級)的高能量瞬態脈沖所致,例如:EMP、ESD產生的脈沖:體內過電應力失效通常是由持續時間稍長(us級以上)高能量脈沖所致,例如:電快速瞬變,雷電產生的脈沖。如果高能量瞬態脈沖持續時間介于ns級和μs級之間,則短路可能發生在結邊緣表面,也可能發生在體內。江蘇6600W瞬態抑制二極管分析由于它具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓低、無損壞極限、體積小等優點。
PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區,負極接P區,外加的反向電壓有一部分降落在PN結區,PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動,使空間電荷區變寬,電流不能流過,方向與PN結內電場方向相同,加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強,擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流,可忽略擴散電流,PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下,由本征激發決定的少子濃度是一定的,故少子形成的漂移電流是恒定的,基本上與所加反向電壓的大小無關,這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時,呈現低電阻,具有較大的正向擴散電流;PN結加反向電壓時,呈現高電阻,具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論:PN結具有單向導電性。
當PN結的反向偏壓較高時,會發生由于碰撞電離引發的電擊穿,即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導體晶格發生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞,如果平均每個電子(或空穴)在經過耗盡區的過程中可以產生大于1對的電子空穴對,那么該過程可以不斷被加強,**終達到耗盡區載流子數目激增,PN結發生雪崩擊穿。DO-15封裝的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。
對于接口電路來說,為了保護我們的內部電路,都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS,而TVS是由二極管構成的,是二極管就會有結電容,結電容的大小會對信號造成一定的影響,特別是高速信號,而這里給出了建議的結電容大小,以使對信號的影響盡可能的降低,保證能正常的通信。以下對各接口的結電容建議:GPIO接口結電容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天線<0.2pF。TVS額定反向關斷VWM 應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。河南瞬態抑制二極管廠家
TVS 的比較大峰值脈沖功耗PM 必須大于被保護電路內可能出現的峰值脈沖功率。河南插件瞬態抑制二極管應用
TVS的封裝類型有:2)SMA/DO-214AC封裝:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封裝:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封裝:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封裝:P4KE系列(400W);7)DO-15封裝:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;。。。。河南插件瞬態抑制二極管應用
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