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甘肅插件瞬態抑制二極管原理

來源: 發布時間:2023-04-13

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時,在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子,一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C過大將使信號衰減。因此,C是數據接口電路選用TVS的重要參數。一般在高速接口中需要考慮TVS的結電容問題。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位響應時間*為1ps(10^-12S)。甘肅插件瞬態抑制二極管原理

箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒;對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種,按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如:各種交流電壓保護器、4~200mA電流環保器、數據線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內部結構可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列(適用多線保護)、貼片式、組件式和大功率模塊式等。甘肅插件瞬態抑制二極管原理TVS的瞬態功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。

TVS瞬態抑制二極管失效模式:1:當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷,特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2:當電路中通過的電流太大,可能會造成TVS炸裂,失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全,TVS通流量過小造成的。3:電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效,失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致(器件內部結構變化、散熱能力下降)過熱燒毀。

PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓,因此,PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應,使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。P4KE、P6KE、1.5KE系列中的數字**擊穿電壓標稱值(VBR)。

TVS被廣泛應用于各類電子電路中,包括計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流器、家用電器、儀器儀表(電度表),RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF耦合/IC驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領域。當TVS管兩端經受瞬間的高能量沖擊時,它能以極高的速度(比較高達1/(10^12)秒)使其阻抗驟然降低,同時吸收一個大電流,將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話,TVS有二極管類,和壓敏電阻類。我個人認為壓敏電阻類更有優勢,***用于手機,LCD模組,及一些比較精密的手持設備。特別是出口歐洲的產品一般都要加,來作為靜電防護的主要手段之一。當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷。湖北6600W瞬態抑制二極管選型

當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時,皮秒級的速度變為低阻抗,吸收高達數千瓦的浪涌功率。甘肅插件瞬態抑制二極管原理

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