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低漏流TVS廠家

來源: 發布時間:2023-04-29

對于做汽車電子硬件設計的工程師來說,ISO7627-2這個標準是***不會陌生,這個測試項目就是電源線瞬態傳導抗擾度,只因為電源線瞬態傳導抗擾度的這幾個測試波形太出名了,分別是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截圖是從ISO7637-2 2004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a這兩個的測試脈沖數已經改成500了)。對于從1到4的幾個波形,基本上都是一些時間極短的脈沖,雖然正負電壓的幅值很高,但是能量很小,基本上電路上不用做太多特殊的防護,單靠一般的電源芯片的電氣特性就能防護下來,而對5a,5b波形,就需要做專門的應對了,而應對方法就是增加一個防浪涌的TVS管了。TVS可以通過串聯的方式減小TVS的結電容。低漏流TVS廠家

引發 TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件、底座銅片燒結不良,在燒結界面出現大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤不良,造成燒焊時焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時,電流在燒結點附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應力集中,產生局部熱點,嚴重時引起熱奔,使器件燒毀。對這些燒毀的器件。進行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時,可加速焊料熱疲勞,使焊料層會產生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導致器件。過熱燒毀。安徽P6KETVS批發1500W功率的TVS貼片一般采用SMC封裝,插件一般采用DO-201封裝。

實際產品中,**常用的浪涌測試波形為1.2/50us和10/700us,如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下換算到其他波形呢,這就需要看Spec中的另一個曲線圖:通過上圖可以查出,1.2/50us波形所對應脈沖寬度50us,對應峰值功率為2200W左右。那么這種情況下,反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口,在共模時,浪涌發生器內阻為12歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口,在差模時,浪涌發生器內阻為2歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對稱信號端口,無論差模共模,浪涌發生器內阻為42歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出,一個TVS所能承受的比較大浪涌電壓,不僅與自身的參數相關(比較大承受功率、鉗位電壓等),也和其在電路的位置息息相關(浪涌發生器的內阻值非常重要)。

當TVS管兩端經受瞬間的高能量沖擊時,它能以極高的速度(比較高達1/(10^12)秒)使其阻抗驟然降低,同時吸收一個大電流,將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話,TVS有二極管類,和壓敏電阻類。我個人認為壓敏電阻類更有優勢,***用于手機,LCD模組,及一些比較精密的手持設備。特別是出口歐洲的產品一般都要加,來作為靜電防護的主要手段之一。。。。。。。。TVS是一種鉗位型的過壓保護器件。

當 PN 結的反向偏壓較高時,會發生由于碰撞電離引發的電擊穿,即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導體晶格發生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞,如果平均每個電子(或空穴)在經過耗盡區的過程中可以產生大于 1 對的電子空穴對,那么該過程可以不斷被加強,**終達到耗盡區載流子數目激增,PN 結發生雪崩擊穿。超大功率TVS通流量可做到幾十千安,用可用于防雷模塊。浙江SMAJTVSSMB

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參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓,當這個反向電壓加入TVS的兩極間時,它處于反向關斷狀態,流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時,在這個電壓之前,TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流(IR)時,加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說,VWM=0.85VBR;對于±10%VBR來說,VWM=0.81VBR。低漏流TVS廠家

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