PN結的單向導電性PN結加正向電壓時導通，PN結加正向電壓時導通，（1）PN結加正向電壓時導通，如果電源的正極接P區，負極接N區，外加的正向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是，內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性。來明電子可為客戶**提供TVS樣品測試。江西5.0SMDJTVS

當 PN 結的反向偏壓較高時，會發生由于碰撞電離引發的電擊穿，即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導體晶格發生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經過耗盡區的過程中可以產生大于 1 對的電子空穴對，那么該過程可以不斷被加強，**終達到耗盡區載流子數目激增，PN 結發生雪崩擊穿。山東SM8STVS生產來明電子具有大量常用TVS現貨產品。

齊納擊穿：齊納擊穿通常發生在摻雜濃度很高的PN結內。由于摻雜濃度很高，PN結很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結層中的電場卻很強（可達2.5×105V/m左右）。在強電場作用下，會強行促使PN結內原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質是場致電離。采取適當的摻雜工藝，將硅PN結的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發生。

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。

系列名**不同的峰值脈沖功率和封裝形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝：分別**的峰值脈沖功率為400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同軸引線封裝：P4KE為400W、P6KE為600W、1.5KE為1500W，SA為500W、3KP為3000W，其余類推（型號名KP或KPA前面的數字表示kW數）。系列名后的數字**擊穿電壓標稱值或反向斷態電壓值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**擊穿電壓標稱值（VBR）；②其它系列中**反向斷態電壓值（VRWM）。A表示單向，CA表示雙向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低電容的TVS管，只有單向，沒有雙向。TVS是一種高可靠的過壓保護器件，具有諸多優點。來明電子可提供全系列TVS產品。廣東低電容TVSSMBF

來明電子可提供批量TVS產品，具有較高的性價比。江西5.0SMDJTVS

常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞，這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征 結合器件結構，材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等，采用理論分析和試驗證明等方法分析導致TVS器件短路失效的原因，分析結果表明引發TVS短路失效的內在質量因素包括粘結界面空洞、臺面缺陷，表面強耗盡層或強積累層、芯片裂紋和雜質擴散不均勻等，使用因素包括過電應力、高溫和長時間使用耗損等。江西5.0SMDJTVS

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