提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質量，使信號的時延、頻響、電平等發生變化。山東BNC接口ESD保護元件應用
人體放電模型（HBM）是靜電放電（ESD）模型的一種，是分析電子元件對靜電放電耐受性特性時，**常使用的模型。人體放電模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時，在幾百納秒（ns）的時間內產生數安培的瞬間放電電流。對2千伏的ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人體模型：該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM模型的ESD等級。江西VGA接口ESD保護元件選型為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式。
防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導體實現等電位連接，避免因導全帶靜電發生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術，如電子工業、半導體、石油工業、兵器工業、紡織工業、橡膠工業以及興航與***領域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。
人體放電模型（HBM）法規：十九世紀時，人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標準MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產環境中，另一個類似的法規IEC61000-4-2，是系統級的靜電測試法規，則是在在系統層級的測試。我國靜電放電對應的國標相對應的標準為GB/T17626.2。ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。
靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點然后通過可接觸的導體直接轉移到測試產品里面，這個是有預期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒，通過慢慢靠近被測試產品不能導電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分，或者通過縫隙擊穿空氣進去。這個觸發是360度隨機的。這樣的方式可以找到產品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導體的地方。靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。四川USB3.0接口ESD保護元件應用
目前ESD靜電保護元件結電容可做到0.1pF以內。山東BNC接口ESD保護元件應用
高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感，并要求防護器件有ns級的響應速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會有更加理想的ESD防護效果。ESD防護電路的防護能力與選用的防護器件、被保護器件的ESD敏感度、電路結構形式、布線等因素密切相關，一般無法直接確定一個防護電路單元的防護能力，必須把防護電路單元和被保護的具體電路作為一個整體并按照標準IEC61000-4-2的測試方法進行測試，以確定一個實際電路的防護效果。山東BNC接口ESD保護元件應用
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