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江西低電容ESD保護元件選型

來源: 發布時間:2023-05-05

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護,它往往用于輔助的ESD保護,如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大,***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區域時,第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓,從而進一步降低進入內部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻,如圖6所示,NMOS的柵極通過一電阻接地,而非直接接地。如此一來,在NMOS漏端發生正向的ESD脈沖時,由于NMOS的漏一柵電容,會使得器件的柵極耦合出一正的電勢,該電勢會促使NMOS的溝道開啟,從而起到降低NMOS在ESD應力下觸發電壓的目的。硅基ESD靜電保護元件具有較低的鉗位電壓。江西低電容ESD保護元件選型

靜電的發生機制。由于不同原子的原子核對電子的束縛能力不同,物體相互靠近時,電子就會在物體之間發生轉移,從而導致電荷在物質系統之間的不均勻分布,打破原本的平衡狀態。所謂靜電,其實就是這些發生轉移、在某一物體上積累下來的電荷,而由這些電荷引發的諸多現象,如頭發炸毛、電腦屏幕粘上灰塵等,就是靜電現象。當我們活動時,身體、衣物會和地面、空氣等產生摩擦,使電子在它們之間發生轉移,從而使身體帶電。我們的鞋子大多是絕緣的橡膠底,身體累積的電荷不可能通過鞋導給大地,于是身體的電荷逐漸累積,也就產生了靜電。靜電現象在冬天比在夏天更為常見,這與不同濕度下空氣的導電能力有關。相對濕潤時,空氣中漂浮著大量微小液滴,可以轉移身體的一部分電荷,而冬天氣候干燥,室內外溫差更**的溫差會降低空氣相對濕度,因此摩擦帶來的電荷很容易積累起來。江西SD卡ESD保護元件封裝ESD靜電保護元件在選型時應注意其封裝,電容,靜電防護等級等參數。

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展,從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小,氧化層進一步減薄,導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝,采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m),電源電壓越來越低(從15V到15V),IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如,現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件,采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC,使用InGaP、InP材料制作的光器件,高頻芯片中集成的MIM電容等,它們的靜電敏感電壓都在數百伏,低達100V,成為ESD高損傷率器件。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission,IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時,主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害,忽視了靜電放電的電磁脈沖效應,直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改,規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式,但沒有關于ESD輻射場的明確規定,對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest,EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現,由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響,符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。靜電放電可達到高達幾十千伏的放電電壓。

ESD策略,ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地,使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低,同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設計ESD防護電路的基本指導思想是:對ESD信號來說,接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量小,而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量大;對工作信號來說,接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量大,而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態電壓抑制二極管TVS半導體閘流管瞬態抑制器件TSS、快速開關二極管等。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通,MOS的柵極總是采用關斷的連接方式。湖南BNC接口ESD保護元件應用

在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案。江西低電容ESD保護元件選型

電子元器件制造業是電子信息產業的基礎支撐產業。二十世紀九十年代起,通訊設備、消費類電子、計算機、互聯網應用產品、汽車電子、機頂盒等產業發展迅猛,同時伴隨著國際制造業向中國轉移,中國大陸電子元器件行業得到了快速發展。從細分領域來看,隨著4G、移動支付、信息安全、汽車電子、物聯網等領域的發展,集成電路產業進入快速發展期;另外,LED產業規模也在不斷擴大,半導體領域日益成熟,面板價格止跌、需求關系略有改善等都為行業發展帶來了廣闊的發展空間。隨著科技的發展,TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容的需求也越來越旺盛,導致部分電子元器件c產品供不應求。汽車電子、互聯網應用產品、移動通信、智慧家庭、5G、消費電子產品等領域成為中國電子元器件市場發展的源源不斷的動力,帶動了電子元器件的市場需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來看,電子元器件市場的發展前景極為可觀。電子元器件行業是國家長期重點支持發展的重點產業,各地方政策也是積極招商引資,在土地和稅收上給予行業內企業優惠,支持企業擴建廠房,升級產能,通過同時引進行業內上下游企業,形成產業集群,提升行業運行效率和產業規模,使得行業產能集中度不斷提高,促進行業頭部企業往高精技術、產品研發的進程。江西低電容ESD保護元件選型

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