ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增火。ESD脈沖具有持續時間短(ns~數百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數百KHz到數GHz的范圍，其能量主要集中在數MHz到數百MHz的范圍內，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應速度和良好的高頻性能。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。河南SIM卡ESD保護元件測試

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增大。尤其當這些器件應用于信號接口時，產品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產品接口器件在生產中和市場上的ESD損壞事故頻頻發生，因此在設計和制造通信產品時除了加強產品制造過程的ESD控制外，還要加強產品的ESD防護設計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設計已成為提高通信產品可靠性的一個重要環節。北京HDMI接口ESD保護元件選型硅基ESD保護器件的結電容與其芯片面積成正比關系。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發生對地放電引起器件失效而建立的。

常見人體帶電過程如下：(1)人從椅子上站起來，或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發生在衣物或其他相關物體外表面，然后，人體由感應帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(**初的電荷分離發生在鞋和地板之間，然后，對于導電性鞋，人體由電荷傳遞而帶電；對于絕緣鞋，人體是因感應而帶電)。(3)脫下外衣時的靜電。這是發生在外層衣物與內層衣物之間的接觸起電，人體則經過電荷傳遞或感應而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走，將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對高度帶電粉體取樣時的帶電。當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經常發生的靜電起電現象是固體間的摩擦起電現象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。河南SIM卡ESD保護元件測試

靜電保護元件可提供多種封裝形式。河南SIM卡ESD保護元件測試

在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。河南SIM卡ESD保護元件測試

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