PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓，因此，PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。多線保護選用TVS 陣列更為有利。北京8000W瞬態抑制二極管廠家

高溫當TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時，易發生短路失效且通常發生在pn結表面。這是因為，在高溫條件工作下，表面可動離子的數量**增加[5]，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內高，使pn結邊緣結溫超過200℃，邊緣局部區域晶格遭受致命性的損壞。TVS在高溫反偏篩選中短路失效情況統計表明:高擊穿電壓(150V以上)TVS器件更容易發生短路失效。這是因為在相同額定功率的TVS系列中，在承受相同功率時，高擊穿電壓TVS芯片溫升更高。北京8000W瞬態抑制二極管廠家瞬態電壓抑制二極管簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件。

長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進行浪涌壽命試驗，發現TVS器件經過成千上萬次標準指數脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數與質量等級相關)沖擊后失效，失效模式通常為短路。對失效樣品進行解剖后，在掃描電鏡下觀察芯片，發現結邊緣發生熔融現象和結邊緣焊料結構發生了變化，且結**邊緣處**為嚴重。失效機理可能結邊緣焊料形成金屬化合物而脆化，使管芯與底座熱沉逐漸分離，結邊緣的散熱能力降低，長時間工作結溫持續增大導致過熱燒毀。

8）DO-201封裝：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；9）R-6/P600封裝：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封裝：藍寶寶浪涌抑制器KA系列；DO-218AB封裝：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封裝：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝，分別**400W、600W、1.5kW和3kW。

在規定的反向應用條件下，當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時，其工作阻抗能立即降至很低的導通值，允許大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，從而有效地保護電子線路中的精密元器件免受損壞。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位響應時間*為1ps（10^-12S）。TVS允許的正向浪涌電流在T=25℃，T=10ms條件下，可達50～200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓箝制到預定水平，雙向TVS適用于交流電路，單向TVS一般用于直流電路。臺面缺陷損傷的TVS 器件經過溫度循環和沖擊等篩選試驗后，電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常。遼寧3000W瞬態抑制二極管原理

當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。北京8000W瞬態抑制二極管廠家

TVS瞬態抑制二極管失效模式：1：當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷，特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2：當電路中通過的電流太大，可能會造成TVS炸裂，失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全，TVS通流量過小造成的。3：電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致（器件內部結構變化、散熱能力下降）過熱燒毀。北京8000W瞬態抑制二極管廠家

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