人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤。操作人員應穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應夾織金屬絲，并與自來水管等接地體連接，以盡快導除靜電。(2)在易燃易爆場所，工作人員不應穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造。(4)對高壓帶電體應加屏蔽，人體應避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應。避免靜電過量積累有幾種簡單易行的方法：***，到自然環境中去。有條件的話，在地上赤足運動一下，因為常見的鞋底都屬絕緣體，身體無法和大地直接接觸，也就無法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類衣物，或者選用經過防靜電處理的衣物。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品。同時，遠離化纖地毯。第三，秋冬季要保持一定的室內濕度，這樣靜電就不容易積累。室內放上一盆清水或擺放些花草，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附。第四，長時間用電腦或看電視后，要及時清洗裸露的皮膚，多洗手、勤洗臉，對消除皮膚上的靜電很有好處。第五，多飲水，同時補充鈣質和維生素c，減輕靜電對人帶來的影響。單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。甘肅以太網接口ESD保護元件原理

在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發生PositiveESDPulse時，Diode發生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向導通電壓很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。甘肅以太網接口ESD保護元件原理IEC61000-4-2是系統級靜電測試常用的測試標準。

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區域時，第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應力下觸發電壓的目的。

開車外出也要注意靜電的防護，在加油站時，一定要防范靜電，加油前先放電，一般情況下，自助加油機本身就能夠釋放靜電。自助加油機上的鍵盤，它的材質是金屬并且是直接與地相接觸的，車主在加油前輸入自己的加油信息時就已將身上所攜帶的靜電釋放出去了。當然，比較好能夠在加油前，先把手按壓在自助加油機的釋放靜電按鈕上放電，這樣會更加安全。正確使用加油槍，加油前，比較好將加油槍在油箱口輕碰一下以消除靜電。在加油時將油***盡量深入油箱口，這樣可以減少汽油蒸汽的揮發，相當于從源頭上減少了起火介質。如果油箱口冒火，千萬不要驚慌，應馬上停止加油作業，然后將加油槍口遠離油源，迅速用滅火器將火撲滅。靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地，另一條通過內部PCB流向大地。

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。防靜電的四項基本原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導體實現等電位連接，避免因導全帶靜電發生放電。甘肅以太網接口ESD保護元件原理

典型的機器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達幾百安培，持續時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。甘肅以太網接口ESD保護元件原理

高頻接口的ESD防護電路設計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產品內部接口的靜電放電風險主要是在產品及其部件的組裝和測試過程，當制造環境和測試策略進行適當的防靜電控制后，ESD風險能夠得到一定程度的降低，但是實際經驗表明，這些內部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產品外部接口的ESD風險不僅存在于產品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數。一般HBM參數應不低于500V，CDM和MM參數應不低工200V。甘肅以太網接口ESD保護元件原理

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