靜電可吸附空氣中很多的浮塵并且通電性越大、吸附浮塵的數目就越大，而浮塵中通常帶有很多種有毒物質和病原菌，輕則刺激性肌膚，危害肌膚的光澤度和鮮嫩，重則使肌膚起癍長瘡，更明顯的還會繼續引起慢性***和心率失常等病癥。靜電造成主要是與衣著相關，化學纖維類服飾摩擦會“生電”。干燥的時節，這類慢慢累積上去的靜電工作電壓超出3000伏時，便會造成“打架”狀況，充放電時可聽見“嘩啦啦”的響聲，摸電導體的手覺得麻痛。人的身上的靜電盡管工作電壓很高，但電流量不大，不容易發生相近“觸電事故”的風險。ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。廣東USB2.0ESD保護元件封裝

ESD保護,在將電纜移去或連接到網絡分析儀上時，防止靜電放電（ESD）是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時很容易損壞靈敏的內部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長久性損壞。為了防止損壞儀器，應采取以下措施：1、保證環境濕度。2、鋪設防靜電地板或地毯。3、使用離子風槍、離子頭、離子棒等設施，使在一定范圍內防止靜電產生。4、半導體器件應盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導電性能,能有效防止靜電的產生。當然,有條件的應盛放在金屬盛器內或用金屬箔包裝。5、操作人員應在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應有良好的接地性能,這種措施**為有效。廣東USB2.0ESD保護元件封裝硅基ESD保護器件的結電容與其芯片面積成正比關系。

高頻接口的ESD防護電路設計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產品內部接口的靜電放電風險主要是在產品及其部件的組裝和測試過程，當制造環境和測試策略進行適當的防靜電控制后，ESD風險能夠得到一定程度的降低，但是實際經驗表明，這些內部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產品外部接口的ESD風險不僅存在于產品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數。一般HBM參數應不低于500V，CDM和MM參數應不低工200V。

靜電放電機器模型MM因在日本得到廣泛應用，也叫日本模型。與家具模型不同的是它主要由200pf電容串非常低的電阻（<10Ω）代替通常串聯的電阻構成。機器模型的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。機器模型放電的波形與預料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。典型的機器模型對小電阻放電的波形,峰值電流可達幾百安培，持續時間（決定于放電通路的電感）為幾百納秒。機器放電模型是電子元器件的(HBM/MM/CDM)三個重要放電模型之一，其主要的測試設備為EST883A靜電放電模擬器，它是EST883A靜電放電模擬器(電子元器件如二極管、三極管和集成電路等人體模型**)的基礎上增加了機器模型(MM)。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。

防護管一般和被保護電路并聯。防護管的串聯寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護能力。防護管的結電容產生的容抗和被保護電路I/0端口的特征阻抗并聯，當防護管的結電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護器件的結電容是影響信號質量的主要因素，在高頻接口要求防護器件的結電容要盡量小。現在各種電浪涌防護管的結電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現有的防護器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護將對信號質量產生不可容忍的影響。防護器件要具有雙極性(雙向)防護功能，其響應時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護效果，響應速度越快其防護效果越好。防護管的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產生限幅效應，箝位電壓過高則ESD防護效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護電路設計的難度。ESD靜電保護元件的浪涌防護等級可用IPP這個參數來表示。青海天線接口ESD保護元件電容

典型的機器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達幾百安培，持續時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。廣東USB2.0ESD保護元件封裝

對于ESD，我們應該如何進行一個選型呢？ESD主要分為四類：TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器，各個器件的應用場景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1）工作電壓選擇ESD器件應該選擇系統工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統是0~5V，那么我們應該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。2）信號類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過正負擊穿電壓（VBR）的信號，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號，如果通過負的就會造成ESD器件擊穿。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對高速電路接口的影響，寄生電容會影響電平的上升和下降速度，影響輸出后的信號。4）根據電路系統的比較大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5）確保ESD器件可達到或超過IEC61000-4-2level4。廣東USB2.0ESD保護元件封裝

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