MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。湖北天線接口ESD保護元件電壓

TVS/ESD靜電保護元件陣列，ESD靜電保護元器件RLESD保護器件可避免電子設備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容，與其他同類元件相比具有更優異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數（高達1000）之后。該器件可比傳統的聚合物SEO器件提供更低的觸發電壓和更低的箝拉電壓，進而改善對敏感電子元件的保護。靜電保護元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD，是一種過壓保護元件，是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。RLESD保護器件是用來避免電子設備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響。可提供非常低的電容，具有優異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數高達1000之后，進而改善對敏感電子元件的保護。 陜西高浪涌ESD保護元件應用多層壓敏電阻作為ESD靜電保護元件，具有較高的成本優勢。

高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感，并要求防護器件有ns級的響應速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會有更加理想的ESD防護效果。ESD防護電路的防護能力與選用的防護器件、被保護器件的ESD敏感度、電路結構形式、布線等因素密切相關，一般無法直接確定一個防護電路單元的防護能力，必須把防護電路單元和被保護的具體電路作為一個整體并按照標準IEC61000-4-2的測試方法進行測試，以確定一個實際電路的防護效果。

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應使得人體放電的等效電阻***變小。電阻不單獨用于芯片的靜電保護，它往往用于輔助的靜電保護，如芯片***級保護和第二級保護之間的限流電阻。

現行的 IEC61000—4—2標準規定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標準化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現有標準展 開***的討論和完善 。但是我國相關領域 的工作開展不多。現行的 ESD抗擾度實驗標準是沿用原 IEC標準，對標準的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關標準，成立了各項標準委員會。ESD靜電保護元件在選型時應注意其封裝，電容，靜電防護等級等參數。陜西高浪涌ESD保護元件應用

ESD靜電保護元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結電容可以做到0.1pF以內。湖北天線接口ESD保護元件電壓

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。湖北天線接口ESD保護元件電壓

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