反向擊穿性PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。TVS 器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種。安徽貼片瞬態抑制二極管原理

1、將TVS二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖，如靜電放電效應、交流電源之浪涌及開關電源的噪音所導致的失靈。2、靜電放電效應能釋放超過10000V、60A以上的脈沖，并能持續10ms；而一般的TTL器件，遇到超過30ms的10V脈沖時，便會導至損壞。利用TVS二極管，可有效吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關所引起的干擾（Crosstalk）。3、將TVS二極管放置在信號線及接地間，能避免數據及控制總線受到不必要的噪聲影響。安徽貼片瞬態抑制二極管原理當瞬態脈沖能量超過 TVS 所能承受能量時會引起 TVS 器件過電應力損傷。

熱電擊穿：當pn結施加反向電壓時，流過pn結的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結溫上升。這種由于熱不穩定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運動的平均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數。

這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡稱浪涌管）。這里說的浪涌測試標準指TVS器件規格書上標明的測試標準：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標準，必須通過，提供測試數據IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數據IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測試標準，必須通過，提供測試數據下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信號線上的ESD管規格書提供的信息，人家一個小管子，完成了三個標準的測試。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，皮秒級的速度變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率。

TVS的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結雪崩器件。在瞬態峰值脈沖電流作用***過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其兩極呈現的電壓由額定反向關斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現，流過TVS的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預定的比較大箝位電壓以下。爾后，隨著脈沖電流按指數衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，***恢復到起始狀態。這就是TVS抑制可能出現的浪涌脈沖功率，保護電子元器件的整個過程。TVS若按封裝及內部結構可分為：軸向引線二極管、雙列直插TVS 陣列。湖南瞬態抑制二極管封裝

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。安徽貼片瞬態抑制二極管原理

參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓，當這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。安徽貼片瞬態抑制二極管原理

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