齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結(jié)層中的電場卻很強（可達(dá)2.5×105V/m左右）。在強電場作用下，會強行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產(chǎn)生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現(xiàn)了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質(zhì)是場致電離。采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝，將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發(fā)生。600W的TVS產(chǎn)品一般貼片為SMB封裝或者插件DO-15封裝。20KATVS替代

TVS的極性選擇。單極性還是雙極性-常常會出現(xiàn)這樣的誤解即雙向TVS用來抑制反向浪涌脈沖，其實并非如此。雙向TVS用于交流電或來自正負(fù)雙向脈沖的場合。TVS有時也用于減少電容。TVS串聯(lián)可以減少TVS的結(jié)電容，或串聯(lián)一個低電容的二極管也可有效降低TVS的結(jié)電容。如果電路只有正向電平信號，那麼單向TVS就足夠了。TVS操作方式如下：正向浪涌時,TVS處于反向雪崩擊穿狀態(tài)；反向浪涌時，TVS類似正向偏置二極管一樣導(dǎo)通并吸收浪涌能量。。。重慶4532TVS通流量TVS的結(jié)電容與TVS的工作電壓成反比，工作電壓越低，結(jié)電容也越大。

平時在做浪涌測試時，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經(jīng)常考慮這個問題，TVS哪個參數(shù)能對應(yīng)出不同的浪涌電壓值。在TVS選型時，有很多參數(shù)需要考慮，如鉗位電壓、擊穿電壓、脈沖峰值電流和負(fù)載電容等。這里不討論其他參數(shù)，只關(guān)注如何計算出所能承受的浪涌電壓。下圖中提到了的兩個參數(shù)：比較大鉗位電壓和脈沖峰值電流，其承受的比較大浪涌功率為比較大鉗位電壓*脈沖峰值電流=24.4V*24.6A=600.24W。這也是我們常說的SMB系列TVS能承受600W功率。如果沒有特殊說明，這個功率是在10/1000us浪涌測試波形下測量的。

TVS長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進(jìn)行浪涌壽命試驗，發(fā)現(xiàn)TVS器件經(jīng)過成千上萬次標(biāo)準(zhǔn)指數(shù)脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數(shù)與質(zhì)量等級相關(guān))沖擊后失效，失效模式通常為短路。對失效樣品進(jìn)行解剖后，在掃描電鏡下觀察芯片，發(fā)現(xiàn)結(jié)邊緣發(fā)生熔融現(xiàn)象和結(jié)邊緣焊料結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化，且結(jié)**邊緣處**為嚴(yán)重。失效機理可能結(jié)邊緣焊料形成金屬化合物而脆化，使管芯與底座熱沉逐漸分離，結(jié)邊緣的散熱能力降低，長時間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致過熱燒毀。TVS array是將小功率TVS與二極管通過電路設(shè)計包封在特定封裝內(nèi)具有特定功能的器件.

選用技巧1、確定被保護(hù)電路的比較大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標(biāo)準(zhǔn)電壓和“**”容限。2、TVS額定反向關(guān)斷VWM應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。3、TVS的比較大箝位電壓VC應(yīng)小于被保護(hù)電路的損壞電壓。4、在規(guī)定的脈沖持續(xù)時間內(nèi)，TVS的比較大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護(hù)電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定比較大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。TVS的短路擊穿分為軟擊穿和硬擊穿，硬擊穿一般是漏電流增大。2RTVS輝光電壓

在通信速率較高的電路中，要考慮TVS的結(jié)電容對電路是否有影響。20KATVS替代

PN結(jié)加反向電壓時截止如果電源的正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)，外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于反向偏置。則空穴和電子都向遠(yuǎn)離界面的方向運動，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運動的阻礙增強，擴(kuò)散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?0KATVS替代

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