當TVS管兩端經受瞬間的高能量沖擊時，它能以極高的速度（比較高達1/(10^12)秒）使其阻抗驟然降低，同時吸收一個大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。我個人認為壓敏電阻類更有優勢，***用于手機，LCD模組，及一些比較精密的手持設備。特別是出口歐洲的產品一般都要加，來作為靜電防護的主要手段之一。。。。。。。。TVS是一種鉗位型的過壓保護器件。湖南TVS測試

干擾脈沖過去后，TVS又轉入反向截止狀態。由于在反向導通時，其箝位電壓低于電路中其它器件的最高耐壓，因此起到了對其它元器件的保護作用。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位時間<1ns。TVS在其散熱及功率承受范圍內可反復應用于電路的過壓保護。TVS根據極性可分為單向和雙向TVS。單向TVS一般適用于直流電路，雙向TVS一般適用于交流電路中。由于TVS起保護作用響應速度快、使用壽命長、封裝多樣化，鉗位電壓低，因此在瞬變電壓防護領域有著非常***的應用。廣東10KATVS替代TVS是一種過壓保護器件，一般用于低壓直流電源保護。

9）R-6/P600封裝：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封裝：藍寶寶浪涌抑制器KA系列；1）DO-218AB封裝：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封裝：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。

熱電擊穿：當pn結施加反向電壓時，流過pn結的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結溫上升。這種由于熱不穩定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運動的平均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數。200W功率的TVS產品一般采用SOD-123或SOD-123FL封裝。

TVS管在穩壓管工藝基礎上發展起來的新產品，是一種新型的高效電路保護器件之一，具有P秒級的響應時間和高浪涌吸收能力；而穩壓二極管，利用pn結反向擊穿狀態，在電流變化范圍內，保持電壓穩定所研發出來穩壓作用的二極管。共同點：在一定范圍內，能限制兩端的電壓；長時間運作耐流值幾乎一樣，均跟體積功耗相關聯。工作原理不同：tvs管：雪崩效應，在高能量的瞬時過壓脈沖時，阻抗能立馬降低到很低的導通值，允許較大電流通過，并將電壓箝制到預定水平，避免電路中的精密元器件免受損壞。 穩壓管：齊納隧道效應，當反向電壓達到并超過穩定電壓時，反向電流突然增大，而二極管兩端電壓恒定。TVS是一種高可靠的過壓保護器件，具有諸多優點。來明電子可提供全系列TVS產品。廣東10KATVS替代

來明電子在電路保護行業深耕數十年，具有豐富的經驗。湖南TVS測試

當 PN 結的反向偏壓較高時，會發生由于碰撞電離引發的電擊穿，即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導體晶格發生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經過耗盡區的過程中可以產生大于 1 對的電子空穴對，那么該過程可以不斷被加強，**終達到耗盡區載流子數目激增，PN 結發生雪崩擊穿。湖南TVS測試

上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，同時啟動了以晶導微電子,意昇,美碩,成鎬為主的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產業布局。是具有一定實力的電子元器件企業之一，主要提供TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等領域內的產品或服務。同時，企業針對用戶，在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等幾大領域，提供更多、更豐富的電子元器件產品，進一步為全國更多單位和企業提供更具針對性的電子元器件服務。來明電子始終保持在電子元器件領域優先的前提下，不斷優化業務結構。在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業提供服務。