平時在做浪涌測試時，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經(jīng)常考慮這個問題，TVS哪個參數(shù)能對應出不同的浪涌電壓值。在TVS選型時，有很多參數(shù)需要考慮，如鉗位電壓、擊穿電壓、脈沖峰值電流和負載電容等。這里不討論其他參數(shù)，只關(guān)注如何計算出所能承受的浪涌電壓。下圖中提到了的兩個參數(shù)：比較大鉗位電壓和脈沖峰值電流，其承受的比較大浪涌功率為比較大鉗位電壓*脈沖峰值電流=24.4V*24.6A=600.24W。這也是我們常說的SMB系列TVS能承受600W功率。如果沒有特殊說明，這個功率是在10/1000us浪涌測試波形下測量的。TVS選型注意事項包括功率，封裝，電壓，通流量等。江蘇插件TVS孤光電壓

TVS的瞬態(tài)功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內(nèi)阻2歐姆的一個短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現(xiàn)在較多的已經(jīng)是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現(xiàn)在執(zhí)行的標準是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時間10uS半值時間1000uS,內(nèi)阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。湖南圓形TVS殘壓TVS是一種過壓保護器件，一般用于低壓直流電源保護。

對于接口電路來說，為了保護我們的內(nèi)部電路，都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS，而TVS是由二極管構(gòu)成的，是二極管就會有結(jié)電容，結(jié)電容的大小會對信號造成一定的影響，特別是高速信號，而這里給出了建議的結(jié)電容大小，以使對信號的影響盡可能的降低，保證能正常的通信。以下對各接口的結(jié)電容建議：GPIO接口結(jié)電容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1 gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天線＜0.2pF。

電壓及電流的瞬態(tài)干擾是造成電子電路及設(shè)備損壞的主要原因，常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設(shè)備的起停操作、交流電網(wǎng)的不穩(wěn)定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態(tài)干擾幾乎無處不在、無時不有，使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現(xiàn)使瞬態(tài)干擾得到了有效抑制，TVS（Transient Voltage Suppressor） 或稱瞬態(tài)抑制二極管，是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品，其電路符號和普通穩(wěn)壓二極管相同，外形也與普通二極管無異。POE接口電源線一般采用SMCJ58CA、SMDJ58CA或5.0SMDJ58CA進行保護。

瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應時間快、瞬態(tài)功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點。TVS硬擊穿可表現(xiàn)為晶體管圖示儀上伏安曲線直接呈現(xiàn)一條直線。浙江40KATVS失效模式

10kW及以上功率的TVS一般采用P600的插件封裝。江蘇插件TVS孤光電壓

TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS 器件經(jīng)過溫度循環(huán)和箝位沖擊等篩選試驗后，進行電參數(shù)測試時通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數(shù)測試時不易被發(fā)現(xiàn)，可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經(jīng)受長時間熱、電、機械等應力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產(chǎn)生-復合中心，使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn 結(jié)邊緣溫度升高，產(chǎn)生熱電綜合效應，**終導致pn結(jié)邊緣半導體材料溫度過高燒毀。江蘇插件TVS孤光電壓

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