根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管，利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管；利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器；利用光生伏***應可制成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。TVS的結電容與TVS的功率成正比，相同電壓下功率越大，結電容也越大。江蘇徑向插件TVS符號

TVS長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進行浪涌壽命試驗，發現TVS器件經過成千上萬次標準指數脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數與質量等級相關)沖擊后失效，失效模式通常為短路。對失效樣品進行解剖后，在掃描電鏡下觀察芯片，發現結邊緣發生熔融現象和結邊緣焊料結構發生了變化，且結**邊緣處**為嚴重。失效機理可能結邊緣焊料形成金屬化合物而脆化，使管芯與底座熱沉逐漸分離，結邊緣的散熱能力降低，長時間工作結溫持續增大導致過熱燒毀。北京徑向插件TVS續流車規級TVS要通過嚴格的質量可靠性驗證。

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。

對于接口電路來說，為了保護我們的內部電路，都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS，而TVS是由二極管構成的，是二極管就會有結電容，結電容的大小會對信號造成一定的影響，特別是高速信號，而這里給出了建議的結電容大小，以使對信號的影響盡可能的降低，保證能正常的通信。以下對各接口的結電容建議：GPIO接口結電容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1 gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天線＜0.2pF。SMC封裝的TVS功率可做到8kW。

TVS瞬態抑制二極管失效模式：1：當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷，特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2：當電路中通過的電流太大，可能會造成TVS炸裂，失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全，TVS通流量過小造成的。3：電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致（器件內部結構變化、散熱能力下降）過熱燒毀。200W功率的TVS產品一般采用SOD-123或SOD-123FL封裝。廣東80KATVS孤光電壓

在一些低壓低功耗電路，要考慮TVS的漏電流對電路是否有影響。江蘇徑向插件TVS符號

將TVS二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖，如靜電放電效應、交流電源之浪涌及開關電源的噪音所導致的失靈。2、靜電放電效應能釋放超過10000V、60A以上的脈沖，并能持續10ms；而一般的TTL器件，遇到超過30ms的10V脈沖時，便會導至損壞。利用TVS二極管，可有效吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關所引起的干擾（Crosstalk）。3、將TVS二極管放置在信號線及接地間，能避免數據及控制總線受到不必要的噪聲影響。江蘇徑向插件TVS符號

上海來明電子有限公司在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容一直在同行業中處于較強地位，無論是產品還是服務，其高水平的能力始終貫穿于其中。公司成立于2010-08-11，旗下晶導微電子,意昇,美碩,成鎬，已經具有一定的業內水平。公司承擔并建設完成電子元器件多項重點項目，取得了明顯的社會和經濟效益。產品已銷往多個國家和地區，被國內外眾多企業和客戶所認可。