比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值，請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的，器件規定的脈沖重復頻率（持續時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內出現重復性脈沖，應考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。安徽盾形TVS替代
PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。江西3RTVS孤光電壓SMC封裝的TVS功率比較大可做到8kW。
TVS的封裝類型有：2）SMA/DO-214AC封裝：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封裝：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封裝：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封裝：P4KE系列（400W）；7）DO-15封裝：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；8）DO-201封裝：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；
單向TVS的V-I特性，單向TVS的正向特性與普通穩壓二極管相同，，反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿，為典型的PN結雪崩器件。，雙向TVS的V-I特性，雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合，，其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性，正反兩面擊穿電壓的對稱關系為：，0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，，一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉，雙向TVS在交流回路應用十分方便。。。。。TVS是一種較常用的過壓保護器件。
對于做汽車電子硬件設計的工程師來說，ISO7627-2這個標準是***不會陌生，這個測試項目就是電源線瞬態傳導抗擾度，只因為電源線瞬態傳導抗擾度的這幾個測試波形太出名了，分別是波形1，2a，2b，3a，3b，4，5a，5b（如下截圖是從ISO7637-2 2004版中截取的，在2011版的ISO7637中波形1和2a這兩個的測試脈沖數已經改成500了）。對于從1到4的幾個波形，基本上都是一些時間極短的脈沖，雖然正負電壓的幅值很高，但是能量很小，基本上電路上不用做太多特殊的防護，單靠一般的電源芯片的電氣特性就能防護下來，而對5a，5b波形，就需要做專門的應對了，而應對方法就是增加一個防浪涌的TVS管了。TVS可以通過并聯的方式增大功率。廣東貼片TVS絕緣電阻
TVS的性能優于壓敏電阻MOV。安徽盾形TVS替代
9）R-6/P600封裝：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封裝：藍寶寶浪涌抑制器KA系列；1）DO-218AB封裝：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封裝：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。安徽盾形TVS替代
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