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陶瓷TVS

來源: 發布時間:2023-06-25

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓,因此,PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應,使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。TVS可以通過串聯的方式減小TVS的結電容。陶瓷TVS

常用電路保護器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞,這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征 結合器件結構,材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等,采用理論分析和試驗證明等方法分析導致TVS器件短路失效的原因,分析結果表明引發TVS短路失效的內在質量因素包括粘結界面空洞、臺面缺陷,表面強耗盡層或強積累層、芯片裂紋和雜質擴散不均勻等,使用因素包括過電應力、高溫和長時間使用耗損等。上海2RTVS原理雙向TVS具有雙向對稱的伏安特性曲線,可用于交變電路浪涌保護。

TVS瞬態抑制二極管失效模式:1:當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷,特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2:當電路中通過的電流太大,可能會造成TVS炸裂,失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全,TVS通流量過小造成的。3:電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效,失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致(器件內部結構變化、散熱能力下降)過熱燒毀。

5、對于數據接口電路的保護,還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據用途選用TVS的極性及封裝結構。交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保護選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態電壓抑制器可以在-55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增大;功耗隨TVS結溫增加而下降,從+25℃到+175℃,大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數增加。因此,必須查閱有關產品資料,考慮溫度變化對其特性的影響。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。

引發 TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件、底座銅片燒結不良,在燒結界面出現大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤不良,造成燒焊時焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時,電流在燒結點附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應力集中,產生局部熱點,嚴重時引起熱奔,使器件燒毀。對這些燒毀的器件。進行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時,可加速焊料熱疲勞,使焊料層會產生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導致器件。過熱燒毀。TVS的結電容與TVS的工作電壓成反比,工作電壓越低,結電容也越大。江蘇3RTVS參數

TVS可以通過并聯的方式增大功率。陶瓷TVS

TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時,由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時,腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS 器件經過溫度循環和箝位沖擊等篩選試驗后,進行電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常,從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數測試時不易被發現,可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經受長時間熱、電、機械等應力的作用后,臺面缺陷加劇,在缺陷處形成載流子產生-復合中心,使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn 結邊緣溫度升高,產生熱電綜合效應,**終導致pn結邊緣半導體材料溫度過高燒毀。陶瓷TVS

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