高壓SBD圖2肖特基二極管長期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設計者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝，形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構，如圖2所示。采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N－區電阻率、外延層厚度和P+區的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為，而肖特基勢壘的結電壓*約，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。開關二極管具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點。開關二極管

二極管額定正向平均電流（額定電流）IF：指在規定＋40℃的環境溫度和標準散熱條件下，元件結溫達額定且穩定時，容許長時間連續流過工頻正弦半波電流的平均值。將此電流整化到等于或小于規定的電流等級，則為該的額定電流。在選用大功率二極管時，應按元件允許通過的電流有效值來選取。對應額定電流if的有效值為1.57IF。大功率二極管的型號：普通型大功率二極管型號用ZP表示，其中Z**整流特性，P為普通型。普通型大功率二極管型號可表示如下,ZP[電流等級]—[電壓等級/100][通態平均電壓組別],如型號為ZP50—16的大功率二極管表示：普通型大功率二極管，額定電流為50A，額定電壓為1600V。 湖南低正向肖特基二極管國產替代肖特基二極體比較大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導率高為（cm·K），抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H－SiCSBD，擊穿電壓達550V。

LED是利用注入有源區的載流子自發輻射復合發光，而LD是受激輻射復合發光。發光二極管發出的光子的方向，相位是隨機的，激光二極管發出的光子是同方向，同相位。LED的**顯著特點是使用壽命長，光電轉換效能高。其原下上在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。LD是激光二極管的英文縮寫，激光二極管的物理架構是在發光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。半導體雷射二極管的工作原理，理論上與氣體雷射器相同。激光二極管在電腦上的CD光驅，激光印表機中的列印頭等小功率光電裝置中得到了***的應用。二者在原理、架構、效能上的差別。（1）在工作原理上的差別：LED是利用注入有源區的載流子自發輻射復合發光，而LD是受激輻射復合發光。（2）在架構上的差別：LD有光學諧振腔，使產生的光子在腔內振蕩放大，LED沒有諧振腔。（3）效能上的差別：LED沒有臨界值特徴，光譜密度比LD高幾個數量級，LED匯出光功率小，發散角大。 按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。

熟悉二極管的特性就知道，二極管***的一個特性就是單向導電性。當電流流過二極管處時，由于二極管的單向導電性，阻止了電流流過，此時的負載無法構成回路，對負載電路沒有任何影響。假如沒有這個防電源接反二極管，當電源接反時，此時負載電路構成回路，負載流過的電流與正常情況不一樣，從而導致負載電路燒毀。一般情況下，電路板輸入電源中都會加二極管來防止電源接反時，而燒毀電路板。防反二極管一般接在電源輸入端的正極上，當然也可接在負極上。 二極管是**早誕生的半導體器件之一，其應用非常***。廣西高效整流二極管國產替代

超快恢復二極管的特點：超快恢復時間，大電流能力 、高抗浪涌電流能力、低正向壓降、低反向漏電流。開關二極管

穩壓二極管，是指利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，制成的起穩壓作用的二極管。，穩壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩定在擊穿電壓附近，從而實現了二極管的穩壓功能。 開關二極管

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