齊納擊穿：齊納擊穿通常發生在摻雜濃度很高的PN結內。由于摻雜濃度很高，PN結很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結層中的電場卻很強（可達2.5×105V/m左右）。在強電場作用下，會強行促使PN結內原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質是場致電離。采取適當的摻雜工藝，將硅PN結的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發生。當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷。陜西15000W瞬態抑制二極管選型

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箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒；對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如：各種交流電壓保護器、4~200mA電流環保器、數據線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內部結構可分為：軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列（適用多線保護）、貼片式、組件式和大功率模塊式等。

瞬態電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS廣泛應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流 器、家用電器、儀器儀表（電度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF 耦合/IC 驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速 器、工控回路、繼電器、天線，防雷模塊，USB接口，HDMI接口，接觸器噪音的抑制等各個領域。SOD-123封裝的TVS一般有SMF，TPSMF，SMF4L等。

PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓，因此，PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。當瞬態脈沖能量超過 TVS 所能承受能量時會引起 TVS 器件過電應力損傷。吉林3000W瞬態抑制二極管原理

TVS若按封裝及內部結構可分為：軸向引線二極管、雙列直插TVS 陣列。陜西15000W瞬態抑制二極管選型

干擾脈沖過去后，TVS又轉入反向截止狀態。由于在反向導通時，其箝位電壓低于電路中其它器件的最高耐壓，因此起到了對其它元器件的保護作用。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位時間<1ns。TVS在其散熱及功率承受范圍內可反復應用于電路的過壓保護。TVS根據極性可分為單向和雙向TVS。單向TVS一般適用于直流電路，雙向TVS一般適用于交流電路中。由于TVS起保護作用響應速度快、使用壽命長、封裝多樣化，鉗位電壓低，因此在瞬變電壓防護領域有著非常多方面的應用。陜西15000W瞬態抑制二極管選型

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