高頻接口的ESD防護電路設計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產品內部接口的靜電放電風險主要是在產品及其部件的組裝和測試過程，當制造環境和測試策略進行適當的防靜電控制后，ESD風險能夠得到一定程度的降低，但是實際經驗表明，這些內部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產品外部接口的ESD風險不僅存在于產品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數。一般HBM參數應不低于500V，CDM和MM參數應不低工200V。IEC61000-4-2是系統級靜電測試常用的測試標準。湖北BNC接口ESD保護元件參數

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。湖北BNC接口ESD保護元件參數為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式。

高頻接口ESD防護電路的綜合設計法根據高頻電路的信號特征和ESD防護要求靈活選用各種防護器件、以及各種防護電路的組合形成防護效果好且高頻性能好的ESD防護電路。如TVS、開關二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯、匹配設計、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設計***的防護電路。如圖4，電感!和TVS并聯在輸入端具有較好的ESD防護效果，其并聯諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護和改善駐波的作用。

在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護器件的響應速度要求較高。

降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。福建低電容ESD保護元件應用

MM機器模型放電的波形與預料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。湖北BNC接口ESD保護元件參數

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改，規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關于ESD輻射場的明確規定，對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現，由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。湖北BNC接口ESD保護元件參數

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