PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。廣東定制TVSSMB

TVS主要用于對電路元件進行快速過電壓保護。它能"吸收"功率高達數千瓦的浪涌信號。TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點,它的應用十分***，如:家用電器；電子儀器；儀表；精密設備；計算機系統；通訊設備;RS232、485及 CAN等通訊端口；ISDN的保護；I/O端口；IC電路保護；音、視頻輸入；交、直流電源；電機、繼電器噪聲的抑制等各個領域。它可以有效地對雷電、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓沖擊起保護作用，下面是幾個TVS在電路應用中的典型例子。廣東P6KETVSSMBTVS的性能優于壓敏電阻MOV。

9）R-6/P600封裝：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封裝：藍寶寶浪涌抑制器KA系列；1）DO-218AB封裝：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封裝：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。

參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓，當這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。TVS的正向導通特性類似于二極管的正向伏安特性，可通過較大的浪涌電流。

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值，請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的，器件規定的脈沖重復頻率（持續時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內出現重復性脈沖，應考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。在通信速率較高的電路中，要考慮TVS的結電容對電路是否有影響。浙江P6KETVSSMBF

SMA封裝的TVS一般一盤是3000個。廣東定制TVSSMB

上海來明電子有限公司成立于2010年，是一家致力于電子元器件服務的供應鏈整合管理機構，專注為客戶提供電子元器件產品及一站式供應鏈解決方案，包括長期成本降低、急需元器件交貨供應解決方案、物料清單供應解決方案等，致力于成為全球**的電子元器件服務商。我們擁有豐富的電子元器件行業上下游產業資源及渠道，為客戶提供***增值服務，持續為客戶創造價值。我們擁有團隊豐富的經驗、海量質量貨源、系統的供應鏈、完善的質量保證體系，可滿足客戶個性化方案定制。細分時代的到來，我們攜手借助互聯網的力量與用戶互動并產生價值，以不斷創新和服務價值輸出，成為電子器件行業“立體多維方案品牌服務運營商”。廣東定制TVSSMB

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