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來源: 發(fā)布時間:2023-07-17

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值,請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時間和環(huán)境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復的,器件規(guī)定的脈沖重復頻率(持續(xù)時間與間歇時間之比)為0.01%,如果電路內出現(xiàn)重復性脈沖,應考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。北京貼片TVSSMA

引發(fā) TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件、底座銅片燒結不良,在燒結界面出現(xiàn)大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤不良,造成燒焊時焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時,電流在燒結點附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應力集中,產生局部熱點,嚴重時引起熱奔,使器件燒毀。對這些燒毀的器件。進行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時,可加速焊料熱疲勞,使焊料層會產生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導致器件。過熱燒毀。湖北1.0SMBTVSSMATVS的漏電流對環(huán)境溫度較敏感,一般隨著溫度的升高二增大。

將TVS二極管加在信號及電源線上,能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖,如靜電放電效應、交流電源之浪涌及開關電源的噪音所導致的失靈。2、靜電放電效應能釋放超過10000V、60A以上的脈沖,并能持續(xù)10ms;而一般的TTL器件,遇到超過30ms的10V脈沖時,便會導至損壞。利用TVS二極管,可有效吸收會造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開關所引起的干擾(Crosstalk)。3、將TVS二極管放置在信號線及接地間,能避免數據及控制總線受到不必要的噪聲影響。

參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓,當這個反向電壓加入TVS的兩極間時,它處于反向關斷狀態(tài),流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時,在這個電壓之前,TVS是不導通的。當TVS流過規(guī)定的1mA電流(IR)時,加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說,VWM=0.85VBR;對于±10%VBR來說,VWM=0.81VBR。單向電路中可選用單向TVS進行過壓保護。

根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管,利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發(fā)光二極管;利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器;利用光生伏***應可制成太陽電池。此外,利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大,振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**,是現(xiàn)代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。SMC封裝的TVS功率比較大可做到8kW。重慶定制TVSSMB

TVS的短路擊穿分為軟擊穿和硬擊穿,硬擊穿一般是漏電流增大。北京貼片TVSSMA

實際產品中,**常用的浪涌測試波形為1.2/50us和10/700us,如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下?lián)Q算到其他波形呢,這就需要看Spec中的另一個曲線圖:通過上圖可以查出,1.2/50us波形所對應脈沖寬度50us,對應峰值功率為2200W左右。那么這種情況下,反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口,在共模時,浪涌發(fā)生器內阻為12歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口,在差模時,浪涌發(fā)生器內阻為2歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對稱信號端口,無論差模共模,浪涌發(fā)生器內阻為42歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出,一個TVS所能承受的比較大浪涌電壓,不僅與自身的參數相關(比較大承受功率、鉗位電壓等),也和其在電路的位置息息相關(浪涌發(fā)生器的內阻值非常重要)。北京貼片TVSSMA

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