靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術經理，說過一句很經典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。ESD靜電保護元件在選型時應注意其封裝，電容，靜電防護等級等參數。江蘇天線接口ESD保護元件測試

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區域時，第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應力下觸發電壓的目的。湖南低壓ESD保護元件應用高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應使得人體放電的等效電阻***變小。ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經常發生的靜電起電現象是固體間的摩擦起電現象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。ESD靜電保護元器件是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。江西耳機接口ESD保護元件選型

為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式。江蘇天線接口ESD保護元件測試

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