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山東USB2.0ESD保護元件封裝

來源: 發(fā)布時間:2023-07-18

常見人體帶電過程如下:(1)人從椅子上站起來,或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發(fā)生在衣物或其他相關物體外表面,然后,人體由感應帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(**初的電荷分離發(fā)生在鞋和地板之間,然后,對于導電性鞋,人體由電荷傳遞而帶電;對于絕緣鞋,人體是因感應而帶電)。(3)脫下外衣時的靜電。這是發(fā)生在外層衣物與內層衣物之間的接觸起電,人體則經(jīng)過電荷傳遞或感應而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走,將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對高度帶電粉體取樣時的帶電。當存在連續(xù)起電過程時,由于電荷泄漏和放電,使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。ESD靜電保護元件具有單向和雙向之分。山東USB2.0ESD保護元件封裝

在ESD設計中,Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況,在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時,Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流,從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流,在大電流下器件的功耗很大,因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低,器件的微分電阻也較大;而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時,該Diode為正偏并釋放ESD電流,由于二極管的正向導通電壓很小,此模式下器件的功耗很小,因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大,因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力,如此一來,缺點是非常明顯的,它增大了ESD器件的面積占用,更為嚴重的是,對于高頻引腳而言,此方式會帶來較大的寄生電容,使引腳的頻率特性變差。天津以太網(wǎng)接口ESD保護元件封裝高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯(lián)結電容和串聯(lián)電感。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容是200pF,等效電阻為0,機器模型與人體模型的差異較大,實際上機器的儲電電容變化較大,但為了描述的統(tǒng)一,取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻,且儲電電容大于人體模式,同等電壓對器件的損害,機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中,由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時,發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的。

靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點然后通過可接觸的導體直接轉移到測試產(chǎn)品里面,這個是有預期的,一般打在控制板附近,固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒,通過慢慢靠近被測試產(chǎn)品不能導電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分,或者通過縫隙擊穿空氣進去。這個觸發(fā)是360度隨機的。這樣的方式可以找到產(chǎn)品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導體的地方。防靜電的四項基本原則一:等電位連接,與敏感器件接觸的導體實現(xiàn)等電位連接,避免因導全帶靜電發(fā)生放電。

防靜電的四項基本原則是:原則一:等電位連接,與敏感器件接觸的導體實現(xiàn)等電位連接,避免因導全帶靜電發(fā)生放電;原則二:靜電源控制,絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除,因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制;原則三:靜電源包裝,出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝,以防外界靜電源的影響;原則四,ESD防護措施不能降低安全水準,如安全與之***,安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式多種,如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術,如電子工業(yè)、半導體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領域的靜電危害,尋求減少靜電造成的損失。IEC61000-4-2是系統(tǒng)級靜電測試常用的測試標準。河南天線接口ESD保護元件參數(shù)

來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件,并提供選型替代,國產(chǎn)化替代,具有較高的性價比。山東USB2.0ESD保護元件封裝

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現(xiàn),在CMOS工藝中,其擊穿電壓大約有幾十伏,遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓,達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言,SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低,以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現(xiàn),在CMOS工藝中,其擊穿電壓大約有幾十伏,遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓,達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言,SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低,以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。山東USB2.0ESD保護元件封裝

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