在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發生PositiveESDPulse時，Diode發生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向導通電壓很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。ESD靜電保護元件被廣泛應用于各類通信接口。四川貼片ESD保護元件參數

靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷，是通過電子或離子的轉移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業生產中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設備或人體上的靜電位比較高可達數萬伏以至數千萬伏。靜電較之流電受環境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復現性差、瞬態現象多。測量靜電是為靜電防護工程設計和改善產品自身抗靜電性能設計，提供數據和依據。四川貼片ESD保護元件參數ESD靜電保護元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結電容可以做到0.1pF以內。

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產生的靜電電位有所不同。在干燥的季節，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產生的附著于人體上的靜電。靜電的產生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。目前ESD靜電保護元件結電容可做到0.1pF以內。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改，規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關于ESD輻射場的明確規定，對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現，由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。靜電保護元件可提供多種封裝形式。湖北貼片ESD保護元件電容

來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件，并提供選型替代，國產化替代，具有較高的性價比。四川貼片ESD保護元件參數

ESD防護電路對高頻信號質量的影響與改進。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質量，使信號的時延、頻響、電平等發生變化。在高頻電路中，防護電路引起電路參數的改變而影響電路的阻抗匹配，防護器件的導通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應。防護器件的結電容、箱位電壓(成導通電壓)是影響高頻信號質量的關鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關二極管作ESD防護，其結電容很難滿足線路信號質量的要求，此時需要采用降低防護電路并聯結電容的措施或采用LC高通濾波器結構。四川貼片ESD保護元件參數

上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號808，公司自成立以來通過規范化運營和高質量服務，贏得了客戶及社會的一致認可和好評。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領域內的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產品的研究開發。擁有一支研發能力強、成果豐碩的技術隊伍。公司先后與行業上游與下游企業建立了長期合作的關系。晶導微電子,意昇,美碩,成鎬以符合行業標準的產品質量為目標，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標準的自我要求，產品獲得市場及消費者的高度認可。上海來明電子有限公司以先進工藝為基礎、以產品質量為根本、以技術創新為動力，開發并推出多項具有競爭力的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產品，確保了在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容市場的優勢。