靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。注意事項(xiàng)編輯 播報(bào)1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。浙江按鍵接口ESD保護(hù)元件電容

高頻接口ESD防護(hù)電路的綜合設(shè)計(jì)法根據(jù)高頻電路的信號特征和ESD防護(hù)要求靈活選用各種防護(hù)器件、以及各種防護(hù)電路的組合形成防護(hù)效果好且高頻性能好的ESD防護(hù)電路。如TVS、開關(guān)二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯(lián)、匹配設(shè)計(jì)、濾波、隔離、衰減等措施可以同時(shí)使用在同一防護(hù)電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設(shè)計(jì)***的防護(hù)電路。如圖4，電感!和TVS并聯(lián)在輸入端具有較好的ESD防護(hù)效果，其并聯(lián)諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護(hù)和改善駐波的作用。浙江按鍵接口ESD保護(hù)元件電容ESD靜電放電機(jī)器模型MM的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。

靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發(fā)生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒有引燃危險(xiǎn)。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發(fā)生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當(dāng)絕緣體背面緊貼有金屬導(dǎo)體時(shí)，絕緣體正面將出現(xiàn)傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發(fā)生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險(xiǎn)；傳播型刷形放電的引燃危險(xiǎn)性大。(3)火花放電:是帶電體之間發(fā)生的通道單一的放電。火花放電有明亮的閃光和有短促的爆裂聲。其引燃危險(xiǎn)性很大。(4)雷型放電：是懸浮在空間的大范圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險(xiǎn)性很大。

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄。虼似淇笶SD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時(shí)往往會(huì)采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對于高頻引腳而言，此方式會(huì)帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險(xiǎn)主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險(xiǎn)能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險(xiǎn)不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時(shí)才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時(shí)考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護(hù)器件的響應(yīng)速度要求較高。江西BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。浙江按鍵接口ESD保護(hù)元件電容

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時(shí)，防護(hù)器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌贰Ｕ憬存I接口ESD保護(hù)元件電容

上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號808，公司自成立以來通過規(guī)范化運(yùn)營和高質(zhì)量服務(wù)，贏得了客戶及社會(huì)的一致認(rèn)可和好評。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領(lǐng)域內(nèi)的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬集中了一批經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)及管理專業(yè)人才，能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務(wù)，并能根據(jù)用戶需求，定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。上海來明電子有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開發(fā)并推出多項(xiàng)具有競爭力的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品，確保了在TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容市場的優(yōu)勢。