常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞，這是TVS生產廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征結合器件結構，材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等，采用理論分析和試驗證明等方法分析導致TVS器件短路失效的原因，分析結果表明引發TVS短路失效的內在質量因素包括粘結界面空洞、臺面缺陷，表面強耗盡層或強積累層、芯片裂紋和雜質擴散不均勻等，使用因素包括過電應力、高溫和長時間使用耗損等。TVS 的比較大箝位電壓VC 應小于被保護電路的損壞電壓。遼寧600W瞬態抑制二極管參數

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TVS主要用于對電路元件進行快速過電壓保護。它能"吸收"功率高達數千瓦的浪涌信號。TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點,它的應用十分較多，如:家用電器；電子儀器；儀表；精密設備；計算機系統；通訊設備;RS232、485及CAN等通訊端口；ISDN的保護；I/O端口；IC電路保護；音、視頻輸入；交、直流電源；電機、繼電器噪聲的抑制等各個領域。它可以有效地對雷電、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓沖擊起保護作用，下面是幾個TVS在電路應用中的典型例子。

齊納擊穿：齊納擊穿通常發生在摻雜濃度很高的PN結內。由于摻雜濃度很高，PN結很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結層中的電場卻很強（可達2.5×105V/m左右）。在強電場作用下，會強行促使PN結內原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質是場致電離。采取適當的摻雜工藝，將硅PN結的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發生。瞬態電壓抑制二極管簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件。

PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓，因此，PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。TVS在其散熱及功率承受范圍內可反復應用于電路的過壓保護。遼寧600W瞬態抑制二極管參數

瞬態電壓抑制器TVS可以在－55~+150℃之間工作。遼寧600W瞬態抑制二極管參數

單向TVS的V-I特性，單向TVS的正向特性與普通穩壓二極管相同，反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿，為典型的PN結雪崩器件。雙向TVS的V-I特性，具有雙向對稱性，雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合，其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性，正反兩面擊穿電壓的對稱關系為：0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉，雙向TVS在交流回路應用十分方便。。遼寧600W瞬態抑制二極管參數

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