5、對于數據接口電路的保護，還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據用途選用TVS的極性及封裝結構。交流電路選用雙極性TVS較為合理；多線保護選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作，由于其反向漏電流ID是隨增加而增大；功耗隨TVS結溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數增加。因此，必須查閱有關產品資料，考慮溫度變化對其特性的影響。DO-201封裝的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。陜西5000W瞬態抑制二極管功率計算

上海來明電子有限公司成立于2010年，是一家致力于電子元器件服務的供應鏈整合管理機構，專注為客戶提供電子元器件產品及一站式供應鏈解決方案，包括長期成本降低、急需元器件交貨供應解決方案、物料清單供應解決方案等，致力于成為全球**的電子元器件服務商。我們擁有豐富的電子元器件行業上下游產業資源及渠道，為客戶提供***增值服務，持續為客戶創造價值。我們擁有團隊豐富的經驗、海量質量貨源、系統的供應鏈、完善的質量保證體系，可滿足客戶個性化方案定制。細分時代的到來，我們攜手借助互聯網的力量與用戶互動并產生價值，以不斷創新和服務價值輸出，成為電子器件行業“立體多維方案品牌服務運營商”。安徽貼片瞬態抑制二極管功率計算引發 TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件、底座銅片燒結不良。

熱電擊穿：當pn結施加反向電壓時，流過pn結的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結溫上升。這種由于熱不穩定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運動的平均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負的溫度系數。

對于接口電路來說，為了保護我們的內部電路，都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS，而TVS是由二極管構成的，是二極管就會有結電容，結電容的大小會對信號造成一定的影響，特別是高速信號，而這里給出了建議的結電容大小，以使對信號的影響盡可能的降低，保證能正常的通信。以下對各接口的結電容建議：GPIO接口結電容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天線＜0.2pF。TVS額定反向關斷VWM 應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。

反向擊穿性PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。TVS 器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種。重慶400W瞬態抑制二極管封裝

SMB/DO-214AA封裝的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。陜西5000W瞬態抑制二極管功率計算

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點，被廣泛應用于各類電子電路中浪涌保護或靜電保護。陜西5000W瞬態抑制二極管功率計算

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