在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質(zhì)量會產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計的ESD防護(hù)電路具有很小的寄生參數(shù)，對信號質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護(hù)電路，同時ESD防護(hù)電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進(jìn)入被保護(hù)電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計ESD防護(hù)電路，因為防護(hù)電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式，同時保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。甘肅USB3.0接口ESD保護(hù)元件參數(shù)

人體靜電防護(hù)編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源。對于靜電來說，人體是導(dǎo)體，所以可以對人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導(dǎo)到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導(dǎo)到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線.保護(hù)電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。甘肅低電容ESD保護(hù)元件測試ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計時為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進(jìn)行隔離。

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號接口時，產(chǎn)品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計和制造通信產(chǎn)品時除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計，尤其是高頻信號接口的ESD防護(hù)設(shè)計已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個重要環(huán)節(jié)。國際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。

在ESD設(shè)計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄。虼似淇笶SD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。甘肅低電容ESD保護(hù)元件測試

高頻信號接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感。甘肅USB3.0接口ESD保護(hù)元件參數(shù)

根據(jù)高頻電路信號特性和ESD防護(hù)能力的要求來選用不同的防護(hù)器件和不同的防護(hù)中路結(jié)構(gòu)，防護(hù)器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護(hù)電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于被保護(hù)器件的ESD或值電樂，ESD防護(hù)電路的響應(yīng)時間要小于被保護(hù)器件的響應(yīng)時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進(jìn)行ESD防護(hù)，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷海部梢灾苯舆x用低容值的快速開關(guān)二極管兩個反向并聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)，如果信號峰值電平高于二極管的正向?qū)妷海瑧?yīng)采用兩個快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)。甘肅USB3.0接口ESD保護(hù)元件參數(shù)

上海來明電子有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、咨詢、規(guī)劃、銷售、服務(wù)于一體的貿(mào)易型企業(yè)。公司成立于2010-08-11，多年來在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)形成了成熟、可靠的研發(fā)、生產(chǎn)體系。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬目前推出了TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等多款產(chǎn)品，已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個領(lǐng)域。我們堅持技術(shù)創(chuàng)新，把握市場關(guān)鍵需求，以重心技術(shù)能力，助力電子元器件發(fā)展。上海來明電子有限公司研發(fā)團(tuán)隊不斷緊跟TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)發(fā)展趨勢，研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品，從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升，確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。上海來明電子有限公司以市場為導(dǎo)向，以創(chuàng)新為動力。不斷提升管理水平及TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì)、誠信的經(jīng)營理念期待您的到來！