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陜西氣體放電管參數

來源: 發布時間:2023-08-20

陶瓷氣體放電管GDT優點:浪涌防護能力強、結電容低、絕緣電阻大;陶瓷氣體放電管缺點:響應時間較慢、動作靈敏度不夠高、甚至部分型號GDT會出現續流現象。這樣精簡地羅列出GDT的優缺點,您還有不明白的地方嗎?在展開陶瓷氣體放電管選型這個話題之前,有必要先對GDT參數進行詳解:√直流擊穿電壓:亦稱直流火花放電電壓,是指施加緩慢升高的直流電壓時,GDT火花放電時的電壓;√脈沖擊穿電壓:亦稱比較大沖擊火花放電電壓,是指施加規定上升率和極性的沖擊電壓,在放電電流流過GDT之前,其兩端子間的電壓比較大值;√標稱沖擊放電電流:是指給定波形的沖擊電流峰值,一般為8/20μs的脈沖電流波形,為GDT的額定值;√耐沖擊電流壽命:衡量GDT耐受多次沖擊電流的能力,在一定程度上反映了GDT的穩定性及可靠性;可以通過并聯的方式來增加氣體放電管的通流量,通流量為兩個放電管之和。陜西氣體放電管參數

氣體放電管的有效運用能夠有效地保證通信線路在受到雷擊作用或者人為因素影響等時避免受到侵害或引發安全事故。實際上,應用氣體放電管的方法比較簡單,而無論是制造電子電氣設備還是應用電子電氣設備,只要掌握了氣體放電管的比較好性能參數,了解其電性原理和使用方法,在選型時能夠并且保證其與設備本身的參數要求相四配,便可以利用氣體放電管達到很好的電路保護效果。總之,氣體放電管的應用是一種簡單、高效,經濟,安全的防護措施。陜西氣體放電管參數是一種間隙型的防雷保護組件,它在通信系統的防雷保護中已獲得了***的應用。

被中國大陸普遍應用的日系玻璃氣體放電管,由于碳棒,涉及到復合帶電材料,需要有放電能力,而且雷擊時,需要穩定,否則被雷擊擊穿,微間隙損壞、短路,電阻下降等等,都是不能接受的。而且還需要激光切割,工藝設備、成本也比較高。上世紀90初,技術轉移到中國大陸時,估計日本人還留了一手,沒有轉移碳棒微間隙技術。國內幾家承接轉移生產玻璃氣體放電管的廠家,將碳棒微間隙,替換成一個石英片,這其實是低成本劣質產品。技術上還是與日本有一些差距。

陶瓷氣體放電管GDT選型注意事項:一個電路防護方案能否得到有效地實施,與合適型號的電路保護器件脫不了干系。那么,在方案實施過程中,該如何正確選擇對應型號的陶瓷氣體放電管呢?1)直流擊穿電壓選取應該參考電路的工作電壓,其電壓值應該大于被保護線路的最大工作電壓。2)脈沖擊穿電壓要考慮浪涌測試等級,一般浪涌測試波形的上升時間為微秒級的脈沖波形,如8/20μs電流波和10/700μs電壓波,與GDT脈沖擊穿電壓測量電壓上升速率1000V/μs為一個數量級,如采用10/700μs的波形測試4000V,GDT的脈沖擊穿電壓要小于4000V,這樣在測試時GDT才能導通。3)GDT由于擊穿電壓誤差大,一般不并聯使用在電路中;4)GDT是一種開關型過電壓保護器件,導通后電壓較低,不能單獨應用于較高的電源線保護,可以在GDT上串聯MOV或PTC等限制續流的問題;5)要根據電路設計布局選擇封裝形式。GDT封裝的大小反應其防護等級大小,封裝越大耐沖擊電流的能力越強,防護等級就越高。在續流的地方必須串聯限流電阻或自恢復保險絲,防止玻璃放電管擊穿后長時間導通而損壞。

直流放電電壓在上升陡度低于100V/s的電壓作用下,放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。由于放電具有分散性,圍繞著這個平均值還需要同時給出允許的偏差上限和下限值。(二)沖擊放電電壓在具有規定上升陡度的暫態電壓脈沖作用下,放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。由于放電管的響應時間或動作時延與電壓脈沖的上升陡度有關,對于不同的上升陡度,放電管的沖擊放電電壓是不相同的。(三)工頻耐受電流放電管通過工頻電流5次,使管子的直流放電電壓及絕緣電阻無明顯變化的最大電流稱為其工頻耐受電流。當應用于一些交流供電線路或易于受到供電線路感應作用的通訊線路上時,應注意放電管的工頻耐受問題。經驗表明,感應工頻電流較小,一般不大于5A,但其持續時間卻很長;供電線路上的過電流很大,可高達數百安培,但由于繼電保護裝置的動作,其持續時間卻很短,一般不超過5s。 氣體放電管內部一般涂有陰極電子發射材料,來改善氣體放電管的電性。陜西氣體放電管參數

陶瓷二極放電管由純鐵電極、鎳鉻鈷合金帽、銀銅焊帽和陶瓷管體等主要部件構成。陜西氣體放電管參數

開關型防雷元件的缺點分別是:陶瓷氣體放電管:①由于氣體電離需要一定的時間,所以響應速度較慢,反應時間一般為0.2~0.3μs(200~300ns),**快也就是0.1μs(100ns)左右,在它未導通前,會有一個幅度較大的尖脈沖漏過去。②擊穿電壓一致性較差,分散性較大,一般為±20%。③擊穿電壓只有幾個特定值。玻璃放電管和半導體過壓保護器:①通流容量較陶瓷氣體放電管小得多。②擊穿電壓尚未形成系列值。③玻璃放電管擊穿電壓分散性較大,為±20%。④半導體過壓保護器電容較大,有幾十至幾百pF。陜西氣體放電管參數

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