電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因，常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有，使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制，TVS（Transient Voltage Suppressor） 或稱瞬態抑制二極管，是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品，其電路符號和普通穩壓二極管相同，外形也與普通二極管無異。車規級TVS要求具有較高的可靠性，一般要通過AEC-Q認證要求。湖南插件TVS

PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區，負極接P區，外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。浙江兩端TVS伏安特性400W功率的TVS一般為SMA封裝或插件DO-41封裝。

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。

TVS的封裝類型有：2）SMA/DO-214AC封裝：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封裝：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封裝：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封裝：P4KE系列（400W）；7）DO-15封裝：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；8）DO-201封裝：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；TVS是一種過壓保護器件，一般用于低壓直流電源保護。

來明電子成立于2010年，是一家致力于電子元器件服務的供應鏈整合管理機構，專注為客戶提供電子元器件產品及一站式供應鏈解決方案。我們在業內擁有二十多年的經驗，整合了質量的供應鏈資源，產品包含各類電容產品、二極管、橋堆、場效應管、氣體放電管、壓敏電阻、保險絲、繼電器、晶振、國產芯片等。我們嚴格篩選生產供應商，制定供應商評估體系，在產品質量、發貨速度、售后服務、交貨方面進行嚴格考核，持續為客戶提供***產品。所有合作伙伴均通過相關國際質量管理體系認證，擁有專業生產基地和實驗室、**的自動化設備生產線，保證產品高標準、高質量、批量化生產。SMAF或SMBF封裝的TVS是扁平化的TVS封裝類型，比較薄，節約PCB空間。江西陶瓷TVS電路

TVS選型注意事項包括功率，封裝，電壓，通流量等。湖南插件TVS

TVS瞬態抑制二極管失效模式：1：當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷，特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2：當電路中通過的電流太大，可能會造成TVS炸裂，失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全，TVS通流量過小造成的。3：電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致（器件內部結構變化、散熱能力下降）過熱燒毀。湖南插件TVS

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