9)R-6/P600封裝:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封裝:藍寶寶浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封裝:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封裝:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。SMA封裝的TVS一般一盤是3000個。徑向插件TVS測試
平時在做浪涌測試時,總是提到的參數是設備所能承受的浪涌電壓,如差模2KV,共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時,也就經常考慮這個問題,TVS哪個參數能對應出不同的浪涌電壓值。在TVS選型時,有很多參數需要考慮,如鉗位電壓、擊穿電壓、脈沖峰值電流和負載電容等。這里不討論其他參數,只關注如何計算出所能承受的浪涌電壓。下圖中提到了的兩個參數:比較大鉗位電壓和脈沖峰值電流,其承受的比較大浪涌功率為比較大鉗位電壓*脈沖峰值電流=24.4V*24.6A=600.24W。這也是我們常說的SMB系列TVS能承受600W功率。如果沒有特殊說明,這個功率是在10/1000us浪涌測試波形下測量的。徑向插件TVS測試車規級TVS要求具有較高的可靠性,一般要通過AEC-Q認證要求。
要減少 TVS 短路失效,首先應加強 TVS 制造工藝過程的控制,尤其是對燒焊、臺面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制,以減少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:國際上采用先進的燒焊工藝已能將空洞面積控制在 10 %以下,采用離子注入摻雜能對摻雜過程進行更好的控制,這些都**提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正確選型與安裝,比較好對 TVS 進行降額使用,這樣可使 TVS 承受的功率較小,使用可靠性**增加。此外,為使 TVS 發生短路失效時對被保護電子設備的影響降到比較低,通常可在 TVS 前串接一條與之匹配的保險絲。
TVS瞬態抑制二極管失效模式:1:當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷,特別是當瞬態能量遠遠超出TVS所能承受的數倍時會直接導致TVS過電應力燒毀。失效模式為短路。2:當電路中通過的電流太大,可能會造成TVS炸裂,失效模式為開路。這種情況通常為設計時考慮不周全,TVS通流量過小造成的。3:電性能退化當TVS經過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效,失效模式為短路。這種模式因長時間工作結溫持續增大導致(器件內部結構變化、散熱能力下降)過熱燒毀。TVS的瞬態功率一般是在10/1000μs的波形下測量。
TVS的極性選擇。單極性還是雙極性-常常會出現這樣的誤解即雙向TVS用來抑制反向浪涌脈沖,其實并非如此。雙向TVS用于交流電或來自正負雙向脈沖的場合。TVS有時也用于減少電容。TVS串聯可以減少TVS的結電容,或串聯一個低電容的二極管也可有效降低TVS的結電容。如果電路只有正向電平信號,那麼單向TVS就足夠了。TVS操作方式如下:正向浪涌時,TVS處于反向雪崩擊穿狀態;反向浪涌時,TVS類似正向偏置二極管一樣導通并吸收浪涌能量。。。車規級TVS的制作工藝更加嚴格,一般要用車規級的硅片。江西玻璃TVS失效模式
來明電子在電路保護行業深耕數十年,具有豐富的經驗。徑向插件TVS測試
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管,利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管;利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器;利用光生伏***應可制成太陽電池。此外,利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大,振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**,是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。徑向插件TVS測試
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