比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。湖南5KATVS漏電流

TVS主要用于對電路元件進行快速過電壓保護。它能"吸收"功率高達數千瓦的浪涌信號。TVS具有體積小、功率大、響應快、無噪聲、價格低等諸多優點,它的應用十分***，如:家用電器；電子儀器；儀表；精密設備；計算機系統；通訊設備;RS232、485及 CAN等通訊端口；ISDN的保護；I/O端口；IC電路保護；音、視頻輸入；交、直流電源；電機、繼電器噪聲的抑制等各個領域。它可以有效地對雷電、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓沖擊起保護作用，下面是幾個TVS在電路應用中的典型例子。江西80KATVS廠家來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。

高溫當TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時，易發生短路失效且通常發生在pn結表面。這是因為，在高溫條件工作下，表面可動離子的數量**增加[5]，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內高，使pn結邊緣結溫超過200℃，邊緣局部區域晶格遭受致命性的損壞。TVS在高溫反偏篩選中短路失效情況統計表明:高擊穿電壓(150V以上)TVS器件更容易發生短路失效。這是因為在相同額定功率的TVS系列中，在承受相同功率時，高擊穿電壓TVS芯片溫升更高。

選用技巧1、確定被保護電路的比較大直流或連續工作電壓、電路的額定標準電壓和“**”容限。2、TVS額定反向關斷VWM應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。3、TVS的比較大箝位電壓VC應小于被保護電路的損壞電壓。4、在規定的脈沖持續時間內，TVS的比較大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護電路內可能出現的峰值脈沖功率。在確定比較大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應大于瞬態浪涌電流。TVS的正向導通特性類似于二極管的正向伏安特性，可通過較大的浪涌電流。

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。在一些低壓低功耗電路，要考慮TVS的漏電流對電路是否有影響。玻璃TVS廠家

在通信速率較高的電路中，要考慮TVS的結電容對電路是否有影響。湖南5KATVS漏電流

TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS 器件經過溫度循環和箝位沖擊等篩選試驗后，進行電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數測試時不易被發現，可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經受長時間熱、電、機械等應力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產生-復合中心，使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn 結邊緣溫度升高，產生熱電綜合效應，**終導致pn結邊緣半導體材料溫度過高燒毀。湖南5KATVS漏電流