非線性PTC效應經過相變的材料會呈現出電阻沿狹窄溫度范圍內急劇增加幾個至十幾個數量級的現象，即非線性PTC效應，相當多種類型的導電聚合體會呈現出這種效應，如高分子PTC熱敏電阻。這些導電聚合體對于制造過電流保護裝置來說非常有用。高分子PTC熱敏電阻用于過流保護，高分子PTC熱敏電阻又經常被人們稱為自恢復保險絲（下面簡稱為熱敏電阻），由于具有獨特的正溫度系數電阻特性，因而極為適合用作過流保護器件。熱敏電阻的使用方法象普通保險絲一樣，是串聯在電路中使用。熱敏電阻靈敏度較高，其電阻溫度系數要比金屬大10～100倍以上，能檢測出10-6℃的溫度變化。湖南過流保護熱敏電阻電路

負溫度系數（NTC）熱敏電阻是指隨溫度上升電阻呈指數關系減小、具有負溫度系數的熱敏電阻現象和材料。該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可制成具有負溫度系數（NTC）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化。還出現了以碳化硅、硒化錫、氮化鉭等為**的非氧化物系NTC熱敏電阻材料。NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數，電阻值可近似表示為：R(T)=R(T0)*exp(Bn(1/T-1/T0))，式中R(T)、R(T0)分別為溫度T、T0時的電阻值，Bn為材料常數。陶瓷晶粒本身由于溫度變化而使電阻率發生變化，這是由半導體特性決定的。青海過流保護熱敏電阻測試NTC電阻體自身的包封料及線材對熱敏電阻產品的性能有很大影響，其中包封料有硅樹脂、酚醛樹脂。

耗散系數（δ）在規定環境溫度下，NTC熱敏電阻耗散系數是電阻中耗散的功率變化與電阻體相應的溫度變化之比值。δ：NTC熱敏電阻耗散系數，（mW/K）。△P：NTC熱敏電阻消耗的功率（mW）。△T：NTC熱敏電阻消耗功率△P時，電阻體相應的溫度變化（K）。熱時間常數(τ)在零功率條件下，當溫度突變時，熱敏電阻的溫度變化了始未兩個溫度差的63.2%時所需的時間，熱時間常數與NTC熱敏電阻的熱容量成正比，與其耗散系數成反比。τ：熱時間常數（S）。C：NTC熱敏電阻的熱容量。δ：NTC熱敏電阻的耗散系數。

熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時的電阻值、Ro：溫度T0、（K）時的電阻值、B:B值、*T(K)=t(oC)+273.15。實際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的，其變化大小因材料構成而異，比較大甚至可達5K/°C。因此在較大的溫度范圍內應用式1時，將與實測值之間存在一定誤差。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數計算時，則可降低與實測值之間的誤差，可認為近似相等。PTC熱敏電阻于1950年出現，隨后1954年出現了以鈦酸鋇為主要材料的PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻在工業上可用作溫度的測量與控制，也用于汽車某部位的溫度檢測與調節，還大量用于民用設備，如控制瞬間開水器的水溫、空調器與冷庫的溫度，利用本身加熱作氣體分析和風速機等方面。下面簡介一例對加熱器、馬達、變壓器、大功率晶體管等電器的加熱和過熱保護方面的應用。高分子PTC熱敏電阻是一種直熱式、階躍型熱敏電阻，其電阻變化過程與自身的發熱和散熱情況有關。

鈦酸鋇晶體屬于鈣鈦礦型結構，是一種鐵電材料，純鈦酸鋇是一種絕緣材料．在鈦酸鋇材料中加入微量稀土元素，進行適當熱處理后，在居里溫度附近，電阻率陡增幾個數量級，產生PTC效應，此效應與BaTiO3晶體的鐵電性及其在居里溫度附近材料的相變有關。鈦酸鋇半導瓷是一種多晶材料，晶粒之間存在著晶粒間界面。該半導瓷當達到某一特定溫度或電壓，晶體粒界就發生變化，從而電阻急劇變化。鈦酸鋇半導瓷的PTC效應起因于粒界（晶粒間界）。對于導電電子來說，晶粒間界面相當于一個勢壘。當溫度低時，由于鈦酸鋇內電場的作用，導致電子極容易越過勢壘，則電阻值較小。當溫度升高到居里溫度（即臨界溫度）附近時，內電場受到破壞，它不能幫助導電電子越過勢壘。這相當于勢壘升高，電阻值突然增大，產生PTC效應。鈦酸鋇半導瓷的PTC效應的物理模型有海望表面勢壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢壘模型，它們分別從不同方面對PTC效應作出了合理解釋。NTC電阻溫度變化的行為一般用Arrhenius 公式來描述: ρ=ρ0exp(Ea/kT)。遼寧聚合物正溫度系數熱敏電阻電流

PTC熱敏電阻還大量用于民用設備，如控制瞬間開水器的水溫、空調器與冷庫的溫度。湖南過流保護熱敏電阻電路

NTC負溫度系數熱敏電阻構成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指隨溫度上升電阻呈指數關系減小、具有負溫度系數的熱敏電阻現象和材料．該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可制成具有負溫度系數（NTC）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化．現在還出現了以碳化硅、硒化錫、氮化鉭等為**的非氧化物系NTC熱敏電阻材料。NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數，電阻值可近似表示為：式中RT、RT0分別為溫度T、T0時的電阻值，Bn為材料常數．陶瓷晶粒本身由于溫度變化而使電阻率發生變化，這是由半導體特性決定的。湖南過流保護熱敏電阻電路